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CSD17553Q5A

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5mm x 6mm のシングル SON 封止、3.1mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.1 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 151 QG typ (nC) 17.5 QGD typ (nC) 4.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 30 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.1 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 151 QG typ (nC) 17.5 QGD typ (nC) 4.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.5 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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設計および開発

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サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
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シミュレーション・モデル

CSD17553Q5A PSpice Model (Rev. B)

SLPM037B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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シミュレーション・モデル

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SLPM051.TSM (8 KB) - TINA-TI Spice Model
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同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ
オプションの表示
パッケージ ピン数 ダウンロード
(DQJ) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

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サポートとトレーニング

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