CSD18540Q5B

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、2.2mΩ、60V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 41 QGD typ (nC) 6.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 221 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
VDS (V) 60 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 3.3 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.2 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400 QG typ (nC) 41 QGD typ (nC) 6.7 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.9 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 221 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 1.8-mΩ, 60-V NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications with a SON 5-mm × 6-mm package.

This 1.8-mΩ, 60-V NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications with a SON 5-mm × 6-mm package.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD18540Q5B 60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs データシート (Rev. B) PDF | HTML 2017年 4月 20日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
技術記事 How to select a MOSFET - Hot Swap 2018年 4月 6日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 Designing for rapid dual-axis motor control development 2016年 2月 23日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計および開発

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評価ボード

BOOSTXL-DRV8305EVM — DRV8305N 3 相モーター・ドライブ・ブースタパックの評価基板

BOOSTXL-DRV8305EVM は、DRV8305 モーター・ゲート・ドライバと CSD18540Q5B NexFET™ パワー MOSFET をベースとして、15A を供給する 3 相ブラシレス DC ドライブ段です。この基板は、相ごとの個別 DC バス、相電圧センス機能、さらに個別のローサイド電流シャント・センス機能を搭載しており、センサレス BLDC アルゴリズムに最適です。この基板は、0.6A 降圧 (バック) レギュレータの LMR16006 を使用して、マイコンに 3.3V の電力を供給します。また、短絡、過熱、貫通電流に対する包括的な保護機能を搭載しており、SPI (...)

TI.com で取り扱いなし
評価ボード

BQ40Z80EVM-020 — BQ40Z80 2S ~ 7S(2 ~7 直列)バッテリ残量計の評価モジュール

The bq40z80 EVM includes one bq40z80, two bq771807 secondary protectors, and a link to Microsoft Windows based PC software, which can be used to monitor and predict capacity, perform cell balancing, monitor critical parameters, protect the cells from overcharge, over-discharge, short circuit, and (...)
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

DRV8704EVM — DRV8704 評価モジュール

The DRV8704 evaluation module (EVM) demonstrates the integrated current regulating capabilities and performance of the DRV8704 integrated circuit from Texas Instruments. The EVM includes the DRV8704 to control two brushed motors, a simple jumper connection scheme to route the DRV8704 inputs, a (...)

TI.com で取り扱いなし
サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
シミュレーション・モデル

CSD18540Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM129A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

CSD18540Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM227.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
計算ツール

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 同期整流方式昇圧コンバータの電力損失計算ツール

同期昇圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
計算ツール

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 同期整流用の電力損失計算ツール

同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ
TI リファレンス・デザインの内容: CSD18540Q5B

TI のリファレンス・デザイン・セレクション・ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。

パッケージ ピン数 ダウンロード
(DNK) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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