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CSD19505KCS

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シングル TO-220、3.1mΩ、80V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.1 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 76 QGD (typ) (nC) 11 QGS (typ) (nC) 25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 208 ID - package limited (A) 150 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
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TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² (10.16 mm × 4.55 mm)
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛不使用の端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • TO-220 プラスチック パッケージ
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛不使用の端子メッキ処理
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  • TO-220 プラスチック パッケージ

この 80V、2.6mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

この 80V、2.6mΩ、TO-220 NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

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技術資料

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設計と開発

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購入と品質

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