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CSD19505KTT

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シングル D2PAK、3.1mΩ、80V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 80 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.1 VGSTH typ (typ) (V) 2.6 QG (typ) (nC) 76 QGD (typ) (nC) 11 QGS (typ) (nC) 25 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 212 ID - package limited (A) 200 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
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TO-263 (KTT) 2 153.416 mm² (10.16 mm × 15.1 mm)
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛不使用の端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • D2PAK プラスチック パッケージ
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛不使用の端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
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  • D2PAK プラスチック パッケージ

この 80V、2.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

この 80V、2.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ パワー MOSFET は、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。

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