CSD25213W10
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 1mm のシングル WLP、47mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD25213W10
- Ultra Low Qg and Qgd
- Small Footprint 1mm × 1mm
- Low Profile 0.62mm Height
- Pb Free
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection
- RoHS Compliant
- Halogen Free
The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD25213W10 データシート | 2013/06/19 | |||
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設計と開発
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サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| DSBGA (YZB) | 4 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。