CSD25485F5
ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm のシングル LGA、42mΩ、–20V、P チャネル NexFET™ パワー MOSFET
データシート
CSD25485F5
- 低いオン抵抗
- 低い Qg および Qgd
- 極めて小さいフットプリント
- 1.53mm × 0.77mm
- 0.50mm のパッド・ピッチ
- 薄型
- 高さ 0.36mm
- ESD 保護ダイオード搭載
- HBM 定格 4kV 超
- CDM 定格 2kV 超
- 鉛およびハロゲン不使用
- RoHS 準拠
この 29.7mΩ、–20V、P チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。
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技術資料
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| * | データシート | CSD25485F5 –20V P チャネル FemtoFET™ MOSFET データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022/04/13 |
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設計と開発
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サポート・ソフトウェア
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJK) | 3 | Ultra Librarian |
購入と品質
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