データシート
CSD86356Q5D
- ハーフ・ブリッジ・パワー・ブロック
- 25A時に93.0%のシステム効率
- 最大40Aで動作
- 高周波数での動作(最高1.5MHz)
- 高密度SON、占有面積5mm×6mm
- 5Vゲートの駆動に最適化
- 低いスイッチング損失
- インダクタンスが非常に低いパッケージ
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- 鉛フリーの端子メッキ処理
CSD86356Q5D NexFET™パワー・ブロックは、同期整流降圧アプリケーション向けに最適化された設計で、大電流、高効率、高周波数の能力を小さな5mm×6mmの外形に収めています。この製品は5Vのゲート駆動アプリケーション用に最適化された柔軟なソリューションであり、外部のコントローラ/ドライバからの任意の5Vゲート・ドライブと組み合わせて、高密度の電源を実現できます。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | CSD86356Q5D 同期整流降圧 NexFETパワー・ブロック データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2018/03/28 |
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| アプリケーション・ノート | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/12/06 | |||
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| アプリケーション・ノート | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 | ||||
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設計と開発
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
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