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信頼性の高い EMC 特性、デュアル・チャネル、1/1、強化絶縁型デジタル・アイソレータ

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製品詳細

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 7800, 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 7800, 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 100Mbps のデータ レート
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1.5 kVRMS の動作電圧で >30 年の予測寿命
    • 最高 5000VRMS の絶縁定格
    • 最高 12.8kV のサージ耐量
    • CMTI：±100kV/µs (標準値)
  • 幅広い電源電圧範囲：2.25 V～5.5 V
  • 2.25V / 5.5V レベル変換
  • デフォルト出力 HIGH (ISO772x) および LOW (ISO772xF) のオプション
  • 幅広い温度範囲：-55℃～+125℃
  • 低消費電力：1Mbps でチャネルごとに標準値 1.7 mA
  • 小さい伝搬遅延：11 ns (標準値)
  • 堅牢な電磁両立性 (EMC)
    • システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
    • 絶縁バリアの両側で ±8 kV の IEC 61000-4-2 接触放電保護
    • 低い放射
  • ワイド SOIC (DW-16、DWV-8) およびナロー SOIC (D-8) パッケージ オプション
  • 車載用バージョンを利用可能：ISO772x-Q1
  • 安全関連認証
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1、GB 4943.1 認証
  • 100Mbps のデータ レート
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1.5 kVRMS の動作電圧で >30 年の予測寿命
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    • 最高 12.8kV のサージ耐量
    • CMTI：±100kV/µs (標準値)
  • 幅広い電源電圧範囲：2.25 V～5.5 V
  • 2.25V / 5.5V レベル変換
  • デフォルト出力 HIGH (ISO772x) および LOW (ISO772xF) のオプション
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  • 低消費電力：1Mbps でチャネルごとに標準値 1.7 mA
  • 小さい伝搬遅延：11 ns (標準値)
  • 堅牢な電磁両立性 (EMC)
    • システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
    • 絶縁バリアの両側で ±8 kV の IEC 61000-4-2 接触放電保護
    • 低い放射
  • ワイド SOIC (DW-16、DWV-8) およびナロー SOIC (D-8) パッケージ オプション
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    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1、GB 4943.1 認証

ISO772x デバイスは、高性能のデュアル・チャネル・デジタル・アイソレータであり、UL 1577 準拠で 5000VRMS (DW および DWV パッケージ) および 3000VRMS (D パッケージ) の絶縁定格を備えています。このファミリには、VDE、CSA、TUV、CQC に準拠した強化絶縁定格を持つデバイスが含まれています。ISO7721B デバイスは、基本絶縁定格のみを必要とするアプリケーション向けに設計されています。

ISO772x デバイスは電磁気耐性が高く、放射が低く、低消費電力を実現し、CMOS または LVCMOS デジタル I/O が絶縁されています。それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二重の容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアによって分離されています。ISO7720 デバイスでは 2 つのチャネルが同じ方向で、ISO7721 デバイスでは 2 つのチャネルが逆方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。

これらのデバイスを絶縁電源と組み合わせて使用することで、RS-485、RS-232、CAN などのデータ・バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISO772x デバイスは電磁気互換性が大幅に強化されているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。ISO772x ファミリのデバイスは、幅広の 16 ピン SOIC (DW)、幅広の 8 ピン SOIC (DWV)、および細型の 8 ピン SOIC (D) のパッケージで供給されます。

ISO772x デバイスは、高性能のデュアル・チャネル・デジタル・アイソレータであり、UL 1577 準拠で 5000VRMS (DW および DWV パッケージ) および 3000VRMS (D パッケージ) の絶縁定格を備えています。このファミリには、VDE、CSA、TUV、CQC に準拠した強化絶縁定格を持つデバイスが含まれています。ISO7721B デバイスは、基本絶縁定格のみを必要とするアプリケーション向けに設計されています。

ISO772x デバイスは電磁気耐性が高く、放射が低く、低消費電力を実現し、CMOS または LVCMOS デジタル I/O が絶縁されています。それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二重の容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアによって分離されています。ISO7720 デバイスでは 2 つのチャネルが同じ方向で、ISO7721 デバイスでは 2 つのチャネルが逆方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。

これらのデバイスを絶縁電源と組み合わせて使用することで、RS-485、RS-232、CAN などのデータ・バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、ISO772x デバイスは電磁気互換性が大幅に強化されているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。ISO772x ファミリのデバイスは、幅広の 16 ピン SOIC (DW)、幅広の 8 ピン SOIC (DWV)、および細型の 8 ピン SOIC (D) のパッケージで供給されます。
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技術資料

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設計および開発

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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