データシート
LM74681
- 動作入力電圧範囲：30V～90V
- 絶対最大電圧 100V
- 4 つのゲート ドライブ制御を内蔵
- 165µA のゲート プルアップ強度
- 100mA のゲート プルダウン強度
- きわめて低い静止電流：0.27µA (検出および分類フェーズ時、VIN1-IN2 < 23V)
- 電源 OR 接続アプリケーション向けのリニア ゲート レギュレーション制御
- VTG_REG = 11mV
- ユーザー制御によるデバイスのオン / オフ機能用イネーブル ピン
- 動作時の接合部温度範囲：–40℃～125℃
- 小さい占有面積：3mm×3mm WSON-12
- IPC-9592 の間隔規定に適合
LM74681 は、MOSFET ブリッジを駆動できる 100V 理想ダイオード ブリッジ コントローラであり、PoE (Power over Ethernet) アプリケーションにおいて、効率的な低損失ブリッジ整流器ソリューションを実現できます。これにより、Power over Ethernet (PoE) 受電側機器 (PD) が、RJ-45 データペア、予備ペア、またはこれら 2 つの任意の組み合わせから、電圧極性に関係なく電力を受け取ることができます。内蔵チャージ ポンプにより N チャネル MOSFET の使用が可能です。N チャネルは、同じ電力レベルの P チャネル MOSFET よりも小型で、コスト効率が優れています。LM74681 および N チャネル MOSFET ブリッジは、従来のダイオード ブリッジを置き換えることができ、2 ペアおよび 4 ペアの PoE PD システムの実装に便利です。電源障害や短絡が発生した場合、高速ターンオフ機能により逆電流スパイクを低減させます。また、このデバイスは静止電流が 0.27µA と非常に低いので、PoE PD の検出および分類フェーズ中にデータの破損が発生しないことが保証されます。このデバイスは、-40℃～+125℃の接合部温度範囲で動作が規定されています。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LM74681 100V 理想ダイオード ブリッジ コントローラ、PoE 受電アプリケーション向け データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024/12/20 |
| アプリケーション概要 | TI のダイオード ブリッジ コントローラを使用して低損失整流を実現 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025/04/30 | |
| 証明書 | LM74681EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | PDF | HTML | 2024/10/31 |
設計と開発
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評価ボード
LM74681EVM — LM74681 評価基板
LM74681 評価基板 (EVM) は、 クランプを内蔵した理想ダイオード コントローラ（12ピンDRRパッケージ）である LM74681 の動作と性能の設計者による評価に役立ちます。この評価基板（EVM）は、LM74681が駆動するNチャネル パワーMOSFETで、順方向電圧が非常に低いダイオードをエミュレートする方法を提示します。また、PoEアプリケーションで検出フェーズと分類フェーズにおいて、 低静止電流 （IQ）で極性に依存しないシステムへの電源供給に役立つことを実証しています
在庫あり
制限：
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入手不可
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。