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LP2998-Q1

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車載アプリケーション向け DDR 終端レギュレータ

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LP2998-Q1

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製品詳細

Vin (min) (V) 1.35 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.656 Vout (max) (V) 0.698 Features Shutdown Pin for S3 Iq (typ) (mA) 0.32 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L
Vin (min) (V) 1.35 Vin (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.656 Vout (max) (V) 0.698 Features Shutdown Pin for S3 Iq (typ) (mA) 0.32 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • AEC-Q100 Test Guidance with the following results
    (SO PowerPAD-8):
    • Device HBM ESD Classification Level H1C
    • Junction Temperature Range –40°C to 125°C
  • 1.35 V Minimum VDDQ
  • Source and Sink Current
  • Low Output Voltage Offset
  • No External Resistors Required
  • Linear Topology
  • Suspend to Ram (STR) Functionality
  • Low External Component Count
  • Thermal Shutdown
  • AEC-Q100 Test Guidance with the following results
    (SO PowerPAD-8):
    • Device HBM ESD Classification Level H1C
    • Junction Temperature Range –40°C to 125°C
  • 1.35 V Minimum VDDQ
  • Source and Sink Current
  • Low Output Voltage Offset
  • No External Resistors Required
  • Linear Topology
  • Suspend to Ram (STR) Functionality
  • Low External Component Count
  • Thermal Shutdown

The LP2998 linear regulator is designed to meet JEDEC SSTL-2 and JEDEC SSTL-18 specifications for termination of DDR-SDRAM and DDR2 memory. The device also supports DDR3 and DDR3L VTT bus termination with VDDQ min of 1.35 V. The device contains a high-speed operational amplifier to provide excellent response to load transients. The output stage prevents shoot through while delivering 1.5 A continuous current and transient peaks up to 3 A in the application as required for DDR-SDRAM termination. The LP2998 also incorporates a VSENSE pin to provide superior load regulation and a VREF output as a reference for the chipset and DIMMs.

An additional feature found on the LP2998 is an active low shutdown (SD) pin that provides Suspend To RAM (STR) functionality. When SD is pulled low the VTT output will tri-state providing a high impedance output, but, VREF will remain active. A power savings advantage can be obtained in this mode through lower quiescent current.

The LP2998 linear regulator is designed to meet JEDEC SSTL-2 and JEDEC SSTL-18 specifications for termination of DDR-SDRAM and DDR2 memory. The device also supports DDR3 and DDR3L VTT bus termination with VDDQ min of 1.35 V. The device contains a high-speed operational amplifier to provide excellent response to load transients. The output stage prevents shoot through while delivering 1.5 A continuous current and transient peaks up to 3 A in the application as required for DDR-SDRAM termination. The LP2998 also incorporates a VSENSE pin to provide superior load regulation and a VREF output as a reference for the chipset and DIMMs.

An additional feature found on the LP2998 is an active low shutdown (SD) pin that provides Suspend To RAM (STR) functionality. When SD is pulled low the VTT output will tri-state providing a high impedance output, but, VREF will remain active. A power savings advantage can be obtained in this mode through lower quiescent current.
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LP2998/LP2998-Q1 DDR Termination Regulator データシート (Rev. K) PDF | HTML 2014年 8月 20日
EVM ユーザー ガイド (英語) AN-1813 LP2998 Evaluation Board (Rev. A) 2013年 5月 7日

設計と開発

デスクトップにある「Design & development」 (設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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