TPS53317A
- TI-Proprietary Integrated MOSFET and Packaging Technology
- Supports DDR Memory Termination with up to 6-A Continuous Output Source or Sink Current
- External Tracking
- Minimum External Components Count
- to 6-V Conversion Voltage
- D-CAP+ Mode Architecture
- Supports All MLCC Output Capacitors and SP/POSCAP
- Selectable SKIP Mode or Forced CCM
- Optimized Efficiency at Light and Heavy Loads
- Selectable 600-kHz or 1-MHz Switching Frequency
- Selectable Overcurrent Limit (OCL)
- Overvoltage, Over-Temperature and Hiccup Undervoltage Protection
- Adjustable Output Voltage from to 2 V
- 3.5 mm × 4 mm, 20-Pin, VQFN Package
The device is a FET-integrated synchronous buck regulator designed mainly for DDR termination. It can provide a regulated output at ½ VDDQ with bothsink and source capability. The device employs D-CAP+ mode operation that provides ease of use, low external component count and fast transient response. The device canalso be used for other point-of-load (POL) regulation applications requiring up to 6 A. Inaddition, the device supports full, 6-A, output sinking current capability with tight voltageregulation.
The device features two switching frequency settings (600 kHz and 1 MHz), integrateddroop support, external tracking capability, pre-bias startup, output soft discharge, integratedbootstrap switch, power good function, V5IN pin UVLO protection, and supports both ceramic andSP/POSCAP capacitors. It supports input voltages up to 6.0 V, and output voltages adjustable from to 2.0 V.
The device is available in the 3.5 mm × 4 mm, 20-pin, VQFNpackage (Green RoHs compliant and Pb free) with TI proprietary Integrated MOSFET and packaging technology and is specified from –40°C to 85°C.
For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS53317A 6-A Output, D-CAP+ Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination データシート (Rev. A) | PDF | HTML | 2015年 11月 10日 | ||
| アプリケーション・ノート | Non-isolated point-of-load solutions for VR13.HC in rack server & datacenter app (Rev. A) | PDF | HTML | 2020年 1月 8日 | |||
| 技術記事 | Voltage regulator features – inside the black box | 2016年 5月 31日 | ||||
| 技術記事 | Simplifying loop compensation and poles and zeros calculations | 2016年 3月 18日 | ||||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the TPS53317AEVM-726 | 2015年 11月 18日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページを表示してください。
TPS53317AEVM-726 — 評価モジュール、TPS53317A 同期整流降圧コンバータ、DDR VTT 用
TPS53317AEVM-726 は、標準的な低電圧アプリケーションで TPS53317A を提示する設計を採用しており、DDR4 環境をシミュレートすると同時に、TPS53317A の性能を評価できるように多数のテスト・ポイントを実装しています。TPS53317AEVM-726 は、1.2V 電圧レールを使用して 0.6V のレギュレーション済み出力電圧を生成し、最大 6A の負荷電流を供給する設計を採用しています。
| パッケージ | ピン数 | ダウンロード |
|---|---|---|
| VQFN (RGB) | 20 | オプションの表示 |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL rating / リフローピーク温度
- MTBF/FIT 推定値
- 材料 (内容)
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。