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TPS54672

アクティブ

6A、アクティブ バス終端 / DDR メモリ向け SWIFT™ コンバータ

製品詳細

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 7 Features Status Pin Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 11 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 6 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 7 Features Status Pin Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 11 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3
HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4
  • 外部印加の基準電圧をトラック
  • 6 A出力ソース・シンク電流(連続)時に高効率な、 30m, 12AピークのMOSFETスイッチ
  • VINの6%から90%までの出力トラッキング範囲
  • PWM周波数範囲:
    固定時の周波数 350kHz
    調整可能な周波数 280kHz-700kHz
  • ピーク電流制限とサーマル・シャットダウンによる負 荷保護
  • 集積ソリューションによる基板面積および部品数の 低減
  • APPLICATIONS
    • DDRメモリ用終端電圧
    • GTLおよびSSTL高速ロジック・ファミリーの能動終端
    • DAC制御の大電流出力段
    • 高精度ポイント・オブ・ロード電源

SWIFT、PowerPAD、SpActおよびBurr-Brownは、テキサス・インスツルメンツの商標です。

  • 外部印加の基準電圧をトラック
  • 6 A出力ソース・シンク電流(連続)時に高効率な、 30m, 12AピークのMOSFETスイッチ
  • VINの6%から90%までの出力トラッキング範囲
  • PWM周波数範囲:
    固定時の周波数 350kHz
    調整可能な周波数 280kHz-700kHz
  • ピーク電流制限とサーマル・シャットダウンによる負 荷保護
  • 集積ソリューションによる基板面積および部品数の 低減
  • APPLICATIONS
    • DDRメモリ用終端電圧
    • GTLおよびSSTL高速ロジック・ファミリーの能動終端
    • DAC制御の大電流出力段
    • 高精度ポイント・オブ・ロード電源

SWIFT、PowerPAD、SpActおよびBurr-Brownは、テキサス・インスツルメンツの商標です。

DC/DCレギュレータのSWIFTTMファミリーのひとつである TPS54672は、トラッキング/終端用同期PWMコンバータであ り、必要な能動素子をすべて集積しています。上記の特長に関し て、シリコン基盤上に内蔵されるものは以下の通りです。すなわ ち、過渡状態で優れた特性を発揮し、出力フィルタのLC部品の 選択が容易になる高性能誤差アンプ、入力電圧が3Vに達するまで スタート・アップさせない低電圧ロックアウト回路、ラッシュ電 流を制限するスロー・スタート回路、さらに、正しい動作状態を 示すステータス出力です。

TPS54672は、熱的に強化された28ピンTSSOP(PWP)の PowerPAD™ (パワー・パッド)パッケージによるデバイスのため、 大きなヒートシンクを必要としません。TIは、評価ボードと SWIFT™ デザイナーという設計者用ソフトウエア・ツールを提供 しますので、高性能な電源の設計の早期実現を手助けし、積極的 な装置開発サイクルに対応できます。

DC/DCレギュレータのSWIFTTMファミリーのひとつである TPS54672は、トラッキング/終端用同期PWMコンバータであ り、必要な能動素子をすべて集積しています。上記の特長に関し て、シリコン基盤上に内蔵されるものは以下の通りです。すなわ ち、過渡状態で優れた特性を発揮し、出力フィルタのLC部品の 選択が容易になる高性能誤差アンプ、入力電圧が3Vに達するまで スタート・アップさせない低電圧ロックアウト回路、ラッシュ電 流を制限するスロー・スタート回路、さらに、正しい動作状態を 示すステータス出力です。

TPS54672は、熱的に強化された28ピンTSSOP(PWP)の PowerPAD™ (パワー・パッド)パッケージによるデバイスのため、 大きなヒートシンクを必要としません。TIは、評価ボードと SWIFT™ デザイナーという設計者用ソフトウエア・ツールを提供 しますので、高性能な電源の設計の早期実現を手助けし、積極的 な装置開発サイクルに対応できます。

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技術資料

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* データシート FET内蔵のトラッキング/ターミネーション同期PWMスイッチャ(SWIFTTM) データシート (Rev. A 翻訳版) 最新英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2006年 11月 6日

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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