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DDR メモリ向け電源 IC

TPS65295

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4.5V ～ 18V Vin の包括的な DDR4 メモリ電源ソリューション

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製品詳細

DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Converter Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Converter Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
VQFN-HR (RJE) 18 9 mm² 3 x 3
  • 同期整流降圧コンバータ (VDDQ)
    • 入力電圧範囲: 4.5V～18V
    • 出力電圧は 1.2V 固定
    • D-CAP3™モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：8A
    • 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
    • RDS(on) が 22mΩ および 8.6mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 同期整流降圧コンバータ (VPP)
    • 入力電圧範囲: 3V～5.5V
    • 出力電圧は 2.5V 固定
    • D-CAP3™モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：1A
    • 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
    • RDS(on) が 150mΩ および 120mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A の連続シンクおよびソース電流
    • 10µF のセラミック出力コンデンサのみで動作
    • S3 での高インピーダンスをサポート
    • ±30mV の VTT 出力精度 (DC+AC)
  • バッファ付き基準電圧 (VTTREF)
    • バッファ付きで低ノイズの ±10mA 能力
    • 0.8% の出力精度
  • 低い静止電流：150µA
  • パワー・グッド・インジケータ
  • 出力放電機能
  • 電源オンおよび電源オフのシーケンシング制御
  • ラッチなしの OT および UVLO 保護
  • 18 ピン、3.0mm × 3.0mm の HotRod™ VQFN パッケージ
  • 同期整流降圧コンバータ (VDDQ)
    • 入力電圧範囲: 4.5V～18V
    • 出力電圧は 1.2V 固定
    • D-CAP3™モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：8A
    • 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
    • RDS(on) が 22mΩ および 8.6mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 600kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1.6ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 同期整流降圧コンバータ (VPP)
    • 入力電圧範囲: 3V～5.5V
    • 出力電圧は 2.5V 固定
    • D-CAP3™モード制御による高速過渡応答
    • 連続出力電流：1A
    • 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
    • RDS(on) が 150mΩ および 120mΩ の内蔵パワー・スイッチ
    • 580kHz のスイッチング周波数
    • 内部ソフト・スタート：1ms
    • サイクル単位の過電流保護
    • ラッチ付きの出力 OV および UV 保護
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A の連続シンクおよびソース電流
    • 10µF のセラミック出力コンデンサのみで動作
    • S3 での高インピーダンスをサポート
    • ±30mV の VTT 出力精度 (DC+AC)
  • バッファ付き基準電圧 (VTTREF)
    • バッファ付きで低ノイズの ±10mA 能力
    • 0.8% の出力精度
  • 低い静止電流：150µA
  • パワー・グッド・インジケータ
  • 出力放電機能
  • 電源オンおよび電源オフのシーケンシング制御
  • ラッチなしの OT および UVLO 保護
  • 18 ピン、3.0mm × 3.0mm の HotRod™ VQFN パッケージ

TPS65295 デバイスは、DDR4 メモリ・システム用の包括的な電源ソリューションを最小の総コストとスペースで実現します。DDR4 の電源オンおよび電源オフ・シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS65295 は、2 つの同期整流降圧コンバータ (VPP および VDDQ)、1A シンクおよびソース・トラッキング LDO (VTT)、バッファ付き低ノイズ基準電圧 (VTTREF) を内蔵しています。TPS65295 は D-CAP3™モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、使いやすさ、高速過渡応答、セラミック出力コンデンサのサポート (外部補償回路不要) を実現しています。

VTTREF は、½ VDDQ を 0.8% という非常に優れた精度でトラッキングします。VTT は、1A のシンクおよびソース電流を連続的に供給でき、わずか 10µF のセラミック出力コンデンサだけで動作します。

TPS65295 は非常に優れた電源性能だけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御をサポートしており、S3 状態では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル・シャットダウン保護機能も使用できます。この製品は、放熱特性の優れた 18 ピンの HotRod™ VQFN パッケージで供給され、－40°C ～125°C の接合部温度範囲で動作するよう設計されています。

TPS65295 デバイスは、DDR4 メモリ・システム用の包括的な電源ソリューションを最小の総コストとスペースで実現します。DDR4 の電源オンおよび電源オフ・シーケンス要件に関する JEDEC 規格を満たしています。TPS65295 は、2 つの同期整流降圧コンバータ (VPP および VDDQ)、1A シンクおよびソース・トラッキング LDO (VTT)、バッファ付き低ノイズ基準電圧 (VTTREF) を内蔵しています。TPS65295 は D-CAP3™モードと 600kHz のスイッチング周波数を採用することで、使いやすさ、高速過渡応答、セラミック出力コンデンサのサポート (外部補償回路不要) を実現しています。

VTTREF は、½ VDDQ を 0.8% という非常に優れた精度でトラッキングします。VTT は、1A のシンクおよびソース電流を連続的に供給でき、わずか 10µF のセラミック出力コンデンサだけで動作します。

TPS65295 は非常に優れた電源性能だけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御をサポートしており、S3 状態では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します。OVP、UVP、OCP、UVLO、サーマル・シャットダウン保護機能も使用できます。この製品は、放熱特性の優れた 18 ピンの HotRod™ VQFN パッケージで供給され、－40°C ～125°C の接合部温度範囲で動作するよう設計されています。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS65295 包括的な DDR4 メモリ向け電源ソリューション データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2019年 2月 26日
アプリケーション・ノート Non-Isolated Point-of-Load Solutions for Tiger Lake in PC Applications (Rev. B) PDF | HTML 2021年 4月 29日
EVM ユーザー ガイド (英語) TPS65295EVM-079 user's guide 2018年 12月 4日

設計と開発

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評価ボード

TPS65295EVM-079 — TPS65295EVM-079

The TPS65295 evaluation module (EMV) is used to evaluate the TPS65295 device. The TPS65295 device provides a complete power solution for DDR4 memory system with the lowest total cost and minimum space. It meets the JEDEC standard for DDR4 power-up and power-down sequence requirement. The (...)
ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

TPS65295 PSpice Transient Model

SLUM678.ZIP (114 KB) - PSpice Model
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パッケージ ピン数 ダウンロード
VQFN-HR (RJE) 18 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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