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UCC23525

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5A/5A reinforced single-channel opto-compatible isolated gate driver

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1063 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features High CMTI, Opto-compatible input Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input threshold 4 mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 1500 Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1063 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features High CMTI, Opto-compatible input Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input threshold 4 mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 1500 Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWY) 6 53.82 mm² (4.68 mm × 11.5 mm)
  • 5kVRMS single channel isolated gate driver with opto-compatible input
  • Pin-to-pin replacement for opto isolated gate drivers
  • 5A source / 5A sink, peak output current
  • Maximum 36V output driver supply voltage
  • 12V VDD undervoltage lockout
  • Rail-to-rail output
  • 100ns (maximum) propagation delay
  • 25ns (maximum) part-to-part delay matching
  • 30ns (maximum) pulse width distortion
  • 200kV/µs (minimum) common-mode transient immunity (CMTI)
  • Isolation barrier life >50 Years
  • Stretched SO-6 package with >8.5mm creepage and clearance
  • Operating junction temperature, TJ: –40°C to +150°C
  • 5kVRMS single channel isolated gate driver with opto-compatible input
  • Pin-to-pin replacement for opto isolated gate drivers
  • 5A source / 5A sink, peak output current
  • Maximum 36V output driver supply voltage
  • 12V VDD undervoltage lockout
  • Rail-to-rail output
  • 100ns (maximum) propagation delay
  • 25ns (maximum) part-to-part delay matching
  • 30ns (maximum) pulse width distortion
  • 200kV/µs (minimum) common-mode transient immunity (CMTI)
  • Isolation barrier life >50 Years
  • Stretched SO-6 package with >8.5mm creepage and clearance
  • Operating junction temperature, TJ: –40°C to +150°C

The UCC23525 driver is an opto-compatible, single-channel, isolated gate driver for IGBTs, MOSFETs and SiC MOSFETs, with 5A source and 5A sink peak output current and 5kVRMSreinforced isolation rating. The high supply voltage range of 30V allows the use of bipolar supplies to effectively drive IGBTs and SiC power FETs. The UCC23525 can drive both low-side and high-side power FETs. Key features and characteristics bring significant performance and reliability upgrades over standard opto-coupler based gate drivers while maintaining pin-to-pin compatibility in both schematic and layout design.

Performance highlights include high common-mode transient immunity (CMTI), low propagation delay, and small pulse width distortion. Tight process control results in small part-to-part skew. The input stage is an emulated diode (e-diode) which means long term reliability and excellent aging characteristics compared to traditional LEDs found in optocoupler gate drivers. The UCC23525 is offered in a stretched SO-6 package, supporting 5KVRMS reinforced isolation rating. The stretched SO-6 package has >8.5mm creepage and clearance, and a mold compound from material group I which has a comparative tracking index (CTI) >600V.

The high performance and reliability of the UCC23525 makes the device ideal for use in all types of motor drives, solar inverters, industrial power supplies, and appliances. The higher operating temperature opens up opportunities for applications not previously able to be supported by traditional optocouplers.

The UCC23525 driver is an opto-compatible, single-channel, isolated gate driver for IGBTs, MOSFETs and SiC MOSFETs, with 5A source and 5A sink peak output current and 5kVRMSreinforced isolation rating. The high supply voltage range of 30V allows the use of bipolar supplies to effectively drive IGBTs and SiC power FETs. The UCC23525 can drive both low-side and high-side power FETs. Key features and characteristics bring significant performance and reliability upgrades over standard opto-coupler based gate drivers while maintaining pin-to-pin compatibility in both schematic and layout design.

Performance highlights include high common-mode transient immunity (CMTI), low propagation delay, and small pulse width distortion. Tight process control results in small part-to-part skew. The input stage is an emulated diode (e-diode) which means long term reliability and excellent aging characteristics compared to traditional LEDs found in optocoupler gate drivers. The UCC23525 is offered in a stretched SO-6 package, supporting 5KVRMS reinforced isolation rating. The stretched SO-6 package has >8.5mm creepage and clearance, and a mold compound from material group I which has a comparative tracking index (CTI) >600V.

The high performance and reliability of the UCC23525 makes the device ideal for use in all types of motor drives, solar inverters, industrial power supplies, and appliances. The higher operating temperature opens up opportunities for applications not previously able to be supported by traditional optocouplers.
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技術資料

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* データシート UCC23525 5A Source, 5A Sink, 5 kVRMS Reinforced, Opto-Compatible, Single-Channel Isolated Gate Driver データシート (Rev. B) PDF | HTML 2025/06/12
証明書 FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance. 2025/05/19

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC23513EVM-014 — UCC23513 光互換入力、3A、5kVRMS、シングル チャネル絶縁型ゲート ドライバの EVM

UCC23513EVM-014 評価基板は、光互換入力である UCC23513 を搭載した、TI の 5kVRMS 絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバを評価するための設計を採用しています。入力は電流駆動であり、デバイスのターンオンで 7mA と 16mA の間で動作します。また、ターンオフを行うには逆バイアスを印加することもできます。このデバイスは、Si MOSFET、IGBT、WBG デバイス (SiC および GaN トランジスタ) を駆動するために、4A のソースおよび 5A シンクのピーク出力電流に対応できます。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
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入手不可
リファレンス・デザイン

TIDA-010990 — パックレベルの電気化学インピーダンス分光 (EIS) 励起のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、バッテリ パックの EIS 励起とアクティブ パック バランシング向けに設計された、双方向絶縁型、マルチポート デュアル アクティブ ブリッジ (DAB) DC/DC コンバータを搭載しています。この設計は最大 10A のピーク ツー ピーク振幅で、0.04Hz ～ 2000Hz の正弦波電流を生成できます。また、この設計は定電流 (CC) モードと定電圧 (CV) モードの両方に対応しており、効率的なアクティブ パック バランシングを実現します。
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWY) 6 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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