UCC27201A-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
- –40°C to +150°C junction temperature range
- Negative voltage handling on HS: -18V
- Drives two N-channel MOSFETs in high-side/low-side configuration
- Maximum boot voltage: 120V
- Maximum VDD voltage: 20V
- On-chip 0.65V VF, 0.65Ω RD bootstrap diode
- 22ns propagation delay times
- 3A sink, 3A source output currents
- 8ns rise and 7ns fall time with 1000pF load
- 1ns delay matching
- Undervoltage lockout for high-side and low-side driver
- Offered in 8-pin PowerPad™ SOIC-8 (DDA)
The UCC27201A-Q1 high frequency N-Channel MOSFET driver includes a 120V bootstrap diode and high-side/low-side driver with independent inputs for maximum control flexibility. This allows for N-Channel MOSFET control in half-bridge, full-bridge, two-switch forward and active clamp forward converters. The low-side and the high-side gate drivers are independently controlled and matched to 1ns between the turn-on and turn-off of each other. In order to improve performance in noisy power supply environments the UCC27201A-Q1 has the ability to withstand an absolute maximum of -18V on its HS pin.
An on-chip bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Under-voltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.
The UCC27201A-Q1 has TTL-compatible thresholds and is offered in an 8-pin SOIC with a thermal pad.
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技術資料
設計および開発
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購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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