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UCC27332-Q1

アクティブ

車載対応、20V VDD、9A/9A、シングルチャネル ドライバとイネーブル

製品詳細

Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 9 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 9 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Driver configuration Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)
  • 車載アプリケーション向けに認定済み
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 業界標準のピン配置
  • 9A シンク、9A ソース出力電流 (標準値)
  • -5V まで耐える入力ピン
  • VDD 電圧の絶対最大値:20V
  • 広い VDD 動作範囲:4.5V~18V
  • 3mm × 3mm の MSOP8 パッケージで供給
  • 25ns (代表値) の伝播遅延
  • TTL 互換の入力スレッショルド
  • 動作時の接合部温度範囲:-40℃~125℃
  • 車載アプリケーション向けに認定済み
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:-40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 業界標準のピン配置
  • 9A シンク、9A ソース出力電流 (標準値)
  • -5V まで耐える入力ピン
  • VDD 電圧の絶対最大値:20V
  • 広い VDD 動作範囲:4.5V~18V
  • 3mm × 3mm の MSOP8 パッケージで供給
  • 25ns (代表値) の伝播遅延
  • TTL 互換の入力スレッショルド
  • 動作時の接合部温度範囲:-40℃~125℃

UCC27332-Q1 は、MOSFET、GaN パワー・スイッチを効率的に駆動できるシングル・チャネル高速ローサイド・ゲート・ドライバです。UCC27332-Q1 は 9A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー・スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。UCC27332-Q1 デバイスの小さい伝搬遅延は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。

UCC27332-Q1 は、入力で -5V を扱えるため、中程度のグランド・バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システムでフォルトが発生した場合、ゲート・ドライバは出力段を素早く遮断できます (パワー・トレインをオフにする必要があります)。イネーブル機能は、システムの堅牢性も向上させます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートに高周波ノイズを生じさせます。このノイズがゲート・ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。UCC27332-Q1 は、その過渡逆電流および逆電圧特性により、そのような条件でも優れた性能を発揮します。

規定されたパーワーオン・リセット・スレッショルドを VDD 電圧が下回ると、強力な内部プルダウン MOSFET が出力を Low に保持します。このアクティブ・プルダウン機能は、システムの堅牢性をさらに向上させます。小型の 3mm × 3mm MSOP パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善を可能にします。この小型パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善も可能にします。

UCC27332-Q1 は、MOSFET、GaN パワー・スイッチを効率的に駆動できるシングル・チャネル高速ローサイド・ゲート・ドライバです。UCC27332-Q1 は 9A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー・スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。UCC27332-Q1 デバイスの小さい伝搬遅延は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。

UCC27332-Q1 は、入力で -5V を扱えるため、中程度のグランド・バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システムでフォルトが発生した場合、ゲート・ドライバは出力段を素早く遮断できます (パワー・トレインをオフにする必要があります)。イネーブル機能は、システムの堅牢性も向上させます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートに高周波ノイズを生じさせます。このノイズがゲート・ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。UCC27332-Q1 は、その過渡逆電流および逆電圧特性により、そのような条件でも優れた性能を発揮します。

規定されたパーワーオン・リセット・スレッショルドを VDD 電圧が下回ると、強力な内部プルダウン MOSFET が出力を Low に保持します。このアクティブ・プルダウン機能は、システムの堅牢性をさらに向上させます。小型の 3mm × 3mm MSOP パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善を可能にします。この小型パッケージは、ゲート・ドライバの配置の最適化とレイアウトの改善も可能にします。

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技術資料

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設計と開発

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サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
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入手不可
評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
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入手不可
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リファレンス・デザイン

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650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW、 800V~14V の DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。スタック型ハーフブリッジ(SHB)トポロジを使用すると、コンバータは650VのGaN HEMTを使用して800Vで動作します。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータはより小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET) (...)
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HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian

購入と品質

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