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CSD86311W1723

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25V, N 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 듀얼 공통 소스 WLP1.7mm x 2.3mm, 42mΩ

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제품 상세 정보

VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 50 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 3.1 QGD (typ) (nC) 0.33 QGS (typ) (nC) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4.5 ID - package limited (A) 4.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 50 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 3.1 QGD (typ) (nC) 0.33 QGS (typ) (nC) 0.85 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4.5 ID - package limited (A) 4.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZG) 12 3.9375 mm² (— mm × — mm)
  • Dual N-Ch MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • APPLICATIONS
    • Battery Management
    • Battery Protection
    • DC-DC Converters
  • Dual N-Ch MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • APPLICATIONS
    • Battery Management
    • Battery Protection
    • DC-DC Converters

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance and gate charge coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained application in load management as well as DC-DC converter applications

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance and gate charge coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained application in load management as well as DC-DC converter applications
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* 데이터 시트 Dual N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet 2010. 5. 4
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025. 10. 31
애플리케이션 노트 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025. 10. 27
애플리케이션 노트 Avoid Common Mistakes When Selecting And Designing With Power MOSFETs PDF | HTML 2024. 11. 6
애플리케이션 노트 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024. 3. 25
애플리케이션 노트 Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023. 12. 18
애플리케이션 노트 Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023. 12. 14
애플리케이션 노트 Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023. 3. 13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022. 5. 31
애플리케이션 노트 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019. 6. 14
선택 가이드 Power Management Guide 2018 (Rev. R) 2018. 6. 25

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

CSD86311W1723 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLLM124A.ZIP (8 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
계산 툴

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

크기, 비용 및 성능을 신속하게 절충하여 애플리케이션 조건에 따라 최적의 MOSFET을 선택합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
DSBGA (YZG) 12 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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