홈 로직 및 전압 변환 로직 게이트 NAND 게이트
홈
로직 및 전압 변환
로직 게이트
NAND 게이트

SN54HC03

활성

오픈 드레인 출력을 지원하는 군사용 4채널, 2입력, 2V~6V 5.2mA 드라이브 강도 NAND 게이트

지금 주문하기
데이터 시트

SN54HC03

활성
데이터 시트 지금 주문하기

제품 상세 정보

Technology family HC Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 5.2 IOH (max) (mA) -5.2 Input type Standard CMOS Output type Open-drain Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 28 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family HC Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 4 Inputs per channel 2 IOL (max) (mA) 5.2 IOH (max) (mA) -5.2 Input type Standard CMOS Output type Open-drain Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 28 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP (J) 14 130.4652 mm² 19.56 x 6.67 LCCC (FK) 20 79.0321 mm² 8.89 x 8.89
  • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V
  • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
  • Low Power Consumption, 20-µA Maximum ICC
  • Typical tpd = 8 ns at 5 V
  • ±4-mA Output Drive at 5 V
  • Low Input Current of 1 µA
  • Wide Operating Voltage Range: 2 V to 6 V
  • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
  • Low Power Consumption, 20-µA Maximum ICC
  • Typical tpd = 8 ns at 5 V
  • ±4-mA Output Drive at 5 V
  • Low Input Current of 1 µA

This device contains four independent 2-input NAND Gates with open-drain outputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic.

This device contains four independent 2-input NAND Gates with open-drain outputs. Each gate performs the Boolean function Y = A ● B in positive logic.
filter 기타 NAND 게이트 찾기
다운로드

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
1개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 날짜
* Data sheet SNx4HC03 Quadruple 2-Input NAND Gates with Open-Drain Outputs datasheet (Rev. F) PDF | HTML 2021/04/30

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​