TPS7H6200-SEP
- Total ionizing dose (TID) characterized up to 50krad(Si)
- Destructive Single Event Effects (DSEE)
characterized
- Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer LET = 43MeV⋅cm2/mg
- Single Event Effects
characterized
- Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 43MeV⋅cm2/mg
- Available in military (–55°C to 125°C) temperature
- 3.2mΩ (typ) high side FET RDSON, 1mΩ low side FET RDSON
- High efficiency (VPVIN = 12V,
VVOUT = 0.8V, fSW = 500kHz, TA =25°C, L =
200nH, DCR = 180mΩ):
- η = 89.6% at 20A
- η = 87.2% at 40A
- η = 84.9% at 52A
- 52A maximum continuous current
- Integrated low-side current
sense
- Total RSS accuracy of 14.5% for nominal load currents greater than 40A
- Fault pin indicator for overcurrent, overtemperature, or UVLO detection
- DrMOS 3.3V and 5V PWM input signal compatibility
- Integrated overtemperature and overcurrent protection
The TPS7H6200-SEP is a 15V e-mode GaN power-FET with integrated gate driver featuring tri-state PWM compatibility, integrated low side current sense, overtemperature protection, and overcurrent protection.
The GaN FET half-bridge die combines the high-side and low-side GaN FETs on one substrate, minimizing parasitic inductance. The device is asymmetrically sized for point-of-load voltage conversion, 1mΩ on the low side and 3mΩ on the high side, optimizing performance and efficiency for typical input to output conversion ratios. As a result, the TPS7H6200-SEP can achieve efficiencies exceeding 89.6% at a typical load of 20A.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | TPS7H6200-SEP Radiation-Tolerant 52A GaN Half-Bridge Power Stage with Low-Side Current Sense datasheet | PDF | HTML | 2026. 9. 23 |
설계 및 개발
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TPS7H5101EVM — TPS7H5101-SEP 평가 모듈
TPS7H5101-SEP 평가 모듈(EVM)은 낮은 출력 전압의 고전류 부하를 위한 2상 D-CAP+™ 벅 컨버터입니다. 컨트롤러는 부하 지점 전원 공급을 위해 0.8V에서 80A에 최적화되었으며 TPS7H6200-SEP 장치 두 개를 사용하여 전력 변환을 구현합니다. 이 EVM은 D-CAP+ 아키텍처의 고급 제어 기능을 사용하여 낮은 출력 커패시턴스와 높은 효율로 빠른 과도 응답을 지원합니다. 이 EVM은 또한 전압 강하 보상을 활용하여 훨씬 낮은 출력 커패시턴스를 지원함으로써 낮은 출력 전압 공차를 충족합니다.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (VEJ) | 49 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.