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UCC21551

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IGBT 및 SiC용 EN 및 DT 핀이 있는 4A/6A 5kVRMS 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버

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UCC21551

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
Number of channels 2 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Catalog Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4-A peak source and 6-A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125 V/ns
  • Up to 25-V VDD output drive supply
    • 12-V and 17-V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33-ns typical propagation delay
    • 5-ns maximum delay matching
    • 6-ns maximum pulse-width distortion
    • 10-µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast enable for power sequencing
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Up to 4-A peak source and 6-A peak sink output
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125 V/ns
  • Up to 25-V VDD output drive supply
    • 12-V and 17-V VDD UVLO options
  • Switching parameters:
    • 33-ns typical propagation delay
    • 5-ns maximum delay matching
    • 6-ns maximum pulse-width distortion
    • 10-µs maximum VDD power-up delay
  • UVLO protection for all power supplies
  • Fast enable for power sequencing

The UCC21551x is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4-A peak-source and 6-A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, and IGBT transistors.

The UCC21551x can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 5-kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125-V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5 ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21551x device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21551x is an isolated dual channel gate driver family with programmable dead time and wide temperature range. It is designed with 4-A peak-source and 6-A peak-sink current to drive power MOSFET, SiC, and IGBT transistors.

The UCC21551x can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 5-kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125-V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and integrated de-glitch filter that rejects input transients shorter than 5 ns. All supplies have UVLO protection.

With all these advanced features, the UCC21551x device enables high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
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기술 문서

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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC21551x 4-A, 6-A, Reinforced Isolation Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024/01/08
Application note Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024/01/22
Certificate UCC21551CQEVM-079 EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2023/04/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21551CQEVM-079 — 4A, 6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버용 UCC21551 평가 모듈

UCC21551CQEVM에는 UCC21551의 기능을 철저하게 평가하기 위해 다중 테스트 포인트와 점퍼를 포함하고 있는 2개 구리층 PCB가 있습니다. EVM에는 PWM 입력 제어, 온보드 조정 가능한 전원 공급 장치, 개별 FET용 소켓, 저압측 보호를 위한 외부 능동 클램프, 부트스트랩된 고압측, 음극 게이트 전압 기능, 구성 가능한 데드 타임 스위치, EN/DIS 점퍼 Wolfspeed XM3 SiC 기반 하프 브리지 전원 모듈용 소켓이 있습니다. 레이아웃이 최적화되어 각 채널의 루프 면적을 최소화하고 바이패스 커패시터를 (...)

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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
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SOIC (DWK) 14 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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