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UCC27884-Q1

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23
Bootstrap supply voltage (max) (V) 230 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8.5 Input supply voltage (max) (V) 20 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.029 Rise time (ns) 7.5 Fall time (ns) 6.5 Switch node voltage (V) -23
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1
  • Dual independent inputs for high-side and low-side drivers with interlock (UCC27834-Q1) or no interlock (UCC27884-Q1)
  • Maximum bootstrap voltage: +230V (HB pin)
  • VDD bias recommended range: 8.5V to 20V
  • Peak output current: 3.5A source, 4A sink
  • Fast propagation delay: 29ns typical
  • Tight propagation delay matching between HO/LO: <5ns maximum
  • dV/dt immunity: 100V/ns
  • Low quiescent supply current draw
    • 150µA (typical) on VDD
    • 90µA (typical) on HB
  • Built-in UVLO protection for both high and low side channels: 8V
  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Available in standard SOIC-8 package
  • All parameters specified over temperature range: –40°C to +150°C
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1
  • Dual independent inputs for high-side and low-side drivers with interlock (UCC27834-Q1) or no interlock (UCC27884-Q1)
  • Maximum bootstrap voltage: +230V (HB pin)
  • VDD bias recommended range: 8.5V to 20V
  • Peak output current: 3.5A source, 4A sink
  • Fast propagation delay: 29ns typical
  • Tight propagation delay matching between HO/LO: <5ns maximum
  • dV/dt immunity: 100V/ns
  • Low quiescent supply current draw
    • 150µA (typical) on VDD
    • 90µA (typical) on HB
  • Built-in UVLO protection for both high and low side channels: 8V
  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Available in standard SOIC-8 package
  • All parameters specified over temperature range: –40°C to +150°C

The UCC278X4-Q1 is a 230V half-bridge gate driver with 3.5A source, 4A sink current, targeted to drive power MOSFETs. The device consists of one ground-referenced channel (LO) and one floating channel (HO) which is designed to drive half-bridge configured MOSFETs operating with bootstrap power supplies. The device features fast propagation delays and excellent delay matching between both channels. The UCC278X4-Q1 allows a wide VDD operating voltage of 8.5V to 20V to support a wider range of gate voltage drive, as well as UVLO protection for both the low-side (VDD) and the high-side (HB) bias supplies. The UCC27834-Q1 includes an interlock function option to prevent both outputs from being turned on simultaneously

The device features robust drive with excellent noise and transient immunity including high dV/dt tolerance (100V/ns), and wide negative transient safe operating area (NTSOA) on the switch node (HS). The UCC278X4-Q1 is available in the SOIC-8 pin package and is rated to operate from –40°C to 150°C.

The UCC278X4-Q1 is a 230V half-bridge gate driver with 3.5A source, 4A sink current, targeted to drive power MOSFETs. The device consists of one ground-referenced channel (LO) and one floating channel (HO) which is designed to drive half-bridge configured MOSFETs operating with bootstrap power supplies. The device features fast propagation delays and excellent delay matching between both channels. The UCC278X4-Q1 allows a wide VDD operating voltage of 8.5V to 20V to support a wider range of gate voltage drive, as well as UVLO protection for both the low-side (VDD) and the high-side (HB) bias supplies. The UCC27834-Q1 includes an interlock function option to prevent both outputs from being turned on simultaneously

The device features robust drive with excellent noise and transient immunity including high dV/dt tolerance (100V/ns), and wide negative transient safe operating area (NTSOA) on the switch node (HS). The UCC278X4-Q1 is available in the SOIC-8 pin package and is rated to operate from –40°C to 150°C.
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* 데이터 시트 UCC278X4-Q1 High-Speed, Automotive 230V Half-Bridge Driver With 3.5A, 4A Drive Strength and up to 100V/ns Noise Immunity datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2025. 11. 19
애플리케이션 노트 Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET PDF | HTML 2024. 3. 25
애플리케이션 노트 Challenges and Solutions for Half-Bridge Gate Drivers in Bidirectional DC-DC Converters PDF | HTML 2024. 1. 24
애플리케이션 노트 Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024. 1. 22
애플리케이션 노트 Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations (Rev. A) PDF | HTML 2023. 9. 8
애플리케이션 노트 Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) PDF | HTML 2022. 2. 17
애플리케이션 노트 Voltage Fed Full Bridge DC-DC & DC-AC Converter High-Freq Inverter Using C2000 (Rev. D) 2021. 4. 7
애플리케이션 노트 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020. 5. 12
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC27288EVM — UCC27288 100V, 3A, 8V UVLO 하프 브리지 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC27288EVM은 2.5A 피크 소스 전류 및 3.5A 피크 싱크 전류 기능을 지원하는 100V 하프 브리지 게이트 드라이버인 UCC27288D를 평가하기 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 최대 20V 드라이브 전압으로 전력 MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 설계로 사용됩니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
계산 툴

UCC278X4-CALC — UCC278x4 Schematic Review Template

UCC278x4 Schematic Review Template
지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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