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CSD13385F5

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.8 mm x 1.5 mm、19 mOhm、閘極 ESD 保護

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產品規格表

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產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² (1.49 mm × 0.73 mm)
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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設計與開發

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開發板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 通道評估模組

此 FemtoFET N 通道評估模組 (EVM) 包括七個子卡，每個子卡都包含不同的 FemtoFET N 通道零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  七個 FemtoFET 的範圍為從 12V 到 60V VDS，而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
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有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
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TIDA-010053 — 使用一次電池，且適用於智慧電表無線模組的低功耗選項參考設計

此參考設計展示三種適合智慧流量表的不同電源架構，其中包含鋰錳 (LiMnO2) 主要電池，以及適用於物聯網 (IoT) 相關應用的商用現成窄頻模組。這三種電源解決方案結合電池供電智慧流量表的電池，以及和系統健全狀況監控參考設計硬體，可針對電池使用壽命提供高度準確的健康狀態 (SoH) 計算。持續開啟的系統內電流監控會偵測 RF 傳輸的電流峰值，並在之後安排可調整延遲時間的 SoH 測量。  運用 BQ35100 電池電量計，為 IoT 相關應用提供窄頻行動模組的高效率電源架構，可提供即時電池壽命資料以進行隨選電池更換。
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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian
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訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

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