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CSD16340Q3

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25-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、5.5 mOhm

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針腳對針腳的功能與所比較的裝置相同。
CSD17577Q3A 現行 30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、6.4 mOhm This product has similar resistance and a lower price.

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產品詳細資料

VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 7.8 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 21 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 7.8 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 21 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Resistance Rated at VGS =2.5 V
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic
    Package
  • APPLICATIONS
    • Point of Load Synchronous
      Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom, and
      Computing Systems
    • Optimized for Control
      or Synchronous FET
      Applications
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Resistance Rated at VGS =2.5 V
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic
    Package
  • APPLICATIONS
    • Point of Load Synchronous
      Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom, and
      Computing Systems
    • Optimized for Control
      or Synchronous FET
      Applications

This 25 V, 3.8 mΩ, 3.3 × 3.3 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5 V gate drive applications.

This 25 V, 3.8 mΩ, 3.3 × 3.3 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5 V gate drive applications.
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* 資料表 CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. E) PDF | HTML 2014/9/4
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設計與開發

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MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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CSD16340Q3 TINA-TI Spice Model

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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

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SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 適用同步整流的功率損耗計算工具

適用同步整流器應用的 MOSFET 功率損耗計算器

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參考設計

TIDA-01413 — 具有兩個 4-Gbps 四路解串器的 ADAS 8 通道感測器融合集線器參考設計

此感測器融合集線器參考設計允許透過同軸纜線連接最多四台 2 百萬像素的攝影機和最多四組雷達模組。此設計運用這些同軸纜線為感測器提供電源、後通道通訊及時鐘同步。這兩個 4 Gbps FPD-Link III 四路解串器可透過 Samtec 連接器，支援行動工業處理器介面 (MIPI) 攝影機序列介面-2 (CSI-2) 到應用處理器的雙輸出。
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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VSON-CLIP (DQG) 8 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

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