CSD87501L
- Low on-resistance
- Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm
- Ultra-low profile – 0.2-mm high
- Lead free
- RoHS compliant
- Halogen free
- Gate ESD protection
This 30-V, 6.6-mΩ, 3.37-mm × 1.47-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small size and common drain configuration make the device ideal for multi-cell battery pack applications and small handheld devices.
技術文件
| 重要文件 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 資料表 | CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2019/5/2 | ||
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 2025/10/31 | |||
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| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/5/31 | |||
| 設計指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/7/7 |
設計與開發
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訂購與品質
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