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CSD1FNCHEVM-889

Módulo de evaluación FemtoFET N-ch

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Información general

Este módulo de evaluación (EVM) FemtoFET N-ch incluye siete tarjetas secundarias; cada tarjeta contiene un número de pieza diferente de FemtoFET N-ch.  Las tarjetas secundarias permiten al ingeniero conectar y probar fácilmente estos pequeños dispositivos.  Los siete FemtoFET varían de 12 V a 60 V VDS, y el tamaño de los dispositivos incluye F3 (0.6x0.7 mm), F4 (0.6x1.0 mm) y F5 (0.8x1.5 mm).

Funciones
  • Fácil manipulación de estas piezas empaquetadas en matriz de rejilla de contactos (LGA)
  • Gama completa de Vds y tamaños de encapsulado
  • Se pueden acoplar siete tarjetas secundarias para crear tableros individuales, con un FET por tarjeta secundaria
  • FemtoFET tiene el mejor tamaño y resistencia en la industria FET
MOSFET
CSD13380F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, protección con CSD13383F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, protección contr CSD13385F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, protección con CSD15380F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 20 V y canal N, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, protección c CSD17381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, protección cont CSD17585F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección con CSD18541F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, LGA simple de 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, protección con
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Placa de evaluación

CSD1FNCHEVM-889 — Módulo de evaluación FemtoFET N-ch

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Documentación técnica

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* EVM User's guide Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 6/12/2017
Certificado CSD1FNCHEVM-889 EU Declaration of Conformity (DoC) 2/01/2019

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