CSD13383F4
MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, protección contr
CSD13383F4
- Low on-resistance
- Ultra low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Low profile
- 0.36 mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated >2 kV HBM
- Rated >2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Documentación técnica
| Tipo | Título | Fecha | ||
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| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31 may 2022 | |
| More literature | WCSP Handling Guide | 07 nov 2019 | ||
| Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 jul 2016 |
Diseño y desarrollo
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Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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