Inicio Administración de potencia MOSFET

CSD13383F4

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, protección contr

Detalles del producto

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 44 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 65 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 2 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 0.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.9 ID - package limited (A) 2.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 44 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 65 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 2 QGD (typ) (nC) 0.6 QGS (typ) (nC) 0.4 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.9 ID - package limited (A) 2.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Low on-resistance
  • Ultra low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >2 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >2 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

.

.

.

.

This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

.

.

.

.

Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Productos similares que pueden interesarle

open-in-new Comparar alternativas
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
CSD17382F4 ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, protección contr Alternate 30 V versus 12 V,higher resistance

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 10
Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
* Data sheet CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. C) PDF | HTML 07 sep 2021
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31 oct 2025
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27 oct 2025
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25 mar 2024
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18 dic 2023
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14 dic 2023
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13 mar 2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 may 2022
More literature WCSP Handling Guide 07 nov 2019
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07 jul 2016

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

CSD1FNCHEVM-889 — Módulo de evaluación FemtoFET N-ch

Este módulo de evaluación (EVM) FemtoFET N-ch incluye siete tarjetas secundarias; cada tarjeta contiene un número de pieza diferente de FemtoFET N-ch.  Las tarjetas secundarias permiten al ingeniero conectar y probar fácilmente estos pequeños dispositivos.  Los siete FemtoFET varían de 12 V a 60 V (...)

Guía del usuario: PDF
Placa de evaluación

TMDXICE110 — Motor de comunicaciones industriales (ICE) AMIC110

El motor de comunicaciones industriales (ICE) AMIC110 es una plataforma de desarrollo destinada a las comunicaciones industriales y, en particular, a ethernet industrial. La clave del motor de comunicaciones industriales AMIC110 es el sistema en chip (SoC) Sitara AMIC110 que cuenta con el (...)

Guía del usuario: PDF
Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Soporte de software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Modelo de simulación

CSD13383F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM142B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
Herramienta de cálculo

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Herramienta de cálculo

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Diseños de referencia

TIDA-00299 — Diseño de referencia de Ethernet industrial de protocolo múltiple y esclavo EtherCAT

Este diseño de referencia implementa un esclavo EtherCAT de costo optimizado y alta inmunidad EMC (puertos duales) con interfaz SPI al procesador de aplicación. El diseño de hardware es capaz de soportar Ethernet industrial multiprotocolo y buses de campo mediante el procesador de comunicaciones (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos