Inicio Administración de potencia MOSFET

CSD13385F5

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, protección con

Detalles del producto

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

.

.

.

.

This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

.

.

.

.

Descargar Ver vídeo con transcripción Video

Productos similares que pueden interesarle

open-in-new Comparar alternativas
Pin por pin con la misma funcionalidad que el dispositivo comparado
CSD17585F5 ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección con Alternate 30 V versus 12 V,higher resistance

Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
No se encontraron resultados. Borre su búsqueda y vuelva a intentarlo.
Ver todo 10
Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
* Data sheet CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 08 sep 2021
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31 oct 2025
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27 oct 2025
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25 mar 2024
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18 dic 2023
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 14 dic 2023
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13 mar 2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 may 2022
More literature WCSP Handling Guide 07 nov 2019
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07 jul 2016

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

CSD1FNCHEVM-889 — Módulo de evaluación FemtoFET N-ch

Este módulo de evaluación (EVM) FemtoFET N-ch incluye siete tarjetas secundarias; cada tarjeta contiene un número de pieza diferente de FemtoFET N-ch.  Las tarjetas secundarias permiten al ingeniero conectar y probar fácilmente estos pequeños dispositivos.  Los siete FemtoFET varían de 12 V a 60 V (...)

Guía del usuario: PDF
Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Soporte de software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Modelo de simulación

CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

SLPM264.TSC (531 KB) - TINA-TI Reference Design
Modelo de simulación

CSD13385F5 TINA-TI Spice Model

SLPM263.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
Modelo de simulación

CSD13385F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM240A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
Herramienta de cálculo

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Herramienta de cálculo

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

Productos y hardware compatibles

Diseños de referencia

TIDA-010053 — Diseño de referencia de opción de baja potencia para módulo inalámbrico de medidor inteligente qu

Este diseño de referencia muestra tres arquitecturas de energía diferentes para medidores de flujo inteligentes con baterías primarias de dióxido de manganeso de litio (LiMnO2) y módulos comerciales de banda estrecha listos para usar para aplicaciones relacionadas con la Internet de las cosas (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

Videos