This 20-V, 990-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. Ultra-low capacitance improves switching speeds. When used in data line applications, the low capacitance minimizes noise coupling. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.
Este módulo de evaluación (EVM) FemtoFET N-ch incluye siete tarjetas secundarias; cada tarjeta contiene un número de pieza diferente de FemtoFET N-ch. Las tarjetas secundarias permiten al ingeniero conectar y probar fácilmente estos pequeños dispositivos. Los siete FemtoFET varían de 12 V a 60 V (...)
El diseño de referencia TIDM-02010 es un diseño de referencia de control PFC y accionamiento de motor dual de 1.5 kW para el controlador de unidad exterior de aire acondicionado de frecuencia variable en tareas de climatización, que ilustra un método para implementar el control vectorial PMSM (...)
| Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.
El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.
Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI.