PMP23249
Diseño de referencia de tarjeta auxiliar FET de GaN de 650 V y 30 mΩ
PMP23249
Información general
Este diseño de referencia incluye dos FET de GaN LMG352XR0X0 de 650 V con controlador y protección integrados en una configuración de medio puente con todo el circuito de polarización y el cambio de nivel lógico o de potencia necesarios. Los bucles de corriente de alta frecuencia de la etapa de potencia y de accionamiento de puerta están completamente encapsulados en la placa para minimizar la inductancia parásita del bucle de potencia, reducir el sobreimpulso de tensión y mejorar el rendimiento. Este diseño está configurado para una conexión externa tipo zócalo para facilitar la interfaz con etapas de potencia externas para hacer funcionar el LMG352XR0X0 en múltiples aplicaciones.
Funciones
- Diseño de circuito abierto para evaluar el rendimiento del LMG352XR030
- Protección ciclo a ciclo contra sobrecorriente y cortocircuito bloqueado
- Dimensionado para satisfacer una mayor densidad de potencia
- Tensión de entrada de hasta 650 V
- Autoprotección contra sobretemperatura interna y supervisión de bloqueo por subtensión (UVLO)
| Opciones de tensión de salida | PMP23249.1 |
|---|---|
| Tensión de entrada (Min) (V) | 300 |
| Tensión de entrada (Máx) (V) | 650 |
| Tensión de salida (Nom) (V) | 380 |
| Amperímetro de salida (Máx) (A) | 9.4 |
| Potencia de salida (W) | 3572 |
| Aislado/Sin aislar | Non-Isolated |
| Tipo de entrada | DC |
| Topología | Other |
Industrial
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LMG3522R030 — FET de GaN de 650 V y 30 mΩ con controlador integrado, protección e informe de temperatura
Inicio de desarrollo
Documentación técnica
| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Informe de prueba | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 20/10/2022 |
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