Este diseño de referencia incluye dos FET de GaN LMG352XR0X0 de 650 V con controlador y protección integrados en una configuración de medio puente con todo el circuito de polarización y el cambio de nivel lógico o de potencia necesarios. Los bucles de corriente de alta frecuencia de la etapa de potencia y de accionamiento de puerta están completamente encapsulados en la placa para minimizar la inductancia parásita del bucle de potencia, reducir el sobreimpulso de tensión y mejorar el rendimiento. Este diseño está configurado para una conexión externa tipo zócalo para facilitar la interfaz con etapas de potencia externas para hacer funcionar el LMG352XR0X0 en múltiples aplicaciones.
| Opciones de tensión de salida | PMP23249.1 |
|---|---|
| Tensión de entrada (Min) (V) | 300 |
| Tensión de entrada (Máx) (V) | 650 |
| Tensión de salida (Nom) (V) | 380 |
| Amperímetro de salida (Máx) (A) | 9.4 |
| Potencia de salida (W) | 3572 |
| Aislado/Sin aislar | Non-Isolated |
| Tipo de entrada | DC |
| Topología | Other |
Se desarrolló una placa completamente integrada únicamente para pruebas y validación de rendimiento y no está disponible para la venta.
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| Tipo | Título | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Informe de prueba | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 20/10/2022 |
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