Este diseño de referencia proporciona un ejemplo de diseño para un controlador de LED infrarrojo para subsistemas de medición fotoeléctrica. El subsistema descrito incluye un convertidor de tensión a corriente basado en un amplificador operacional y un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) para el dispositivo de paso activo que constituye la base de una función de disipación de corriente precisa y programable. El uso del transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) en este circuito permite varias ventajas que se describirán y, la más importante, la oportunidad de proporcionar una buena regulación de corriente en sistemas de baja tensión alimentados por batería. Del mismo modo, la alta impedancia de entrada y la elevada ganancia de bucle abierto del amplificador operacional en retroalimentación permiten al circuito lograr una respuesta plana a lo largo de la temperatura y una variación mínima de la corriente de salida debida a cambios en la tensión de suministro.
Funciones
- Funcionamiento a baja tensión para aplicaciones con baterías de 3 V
- Tiempo de activación rápido con un exceso mínimo para minimizar el tiempo de encendido de las luces LED
- Corriente de alimentación de estado apagado baja
- Amplio rango de ajuste de corriente de salida lineal
- Superficie reducida