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CSD17483F4

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, protección cont

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 230 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 260 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 310 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.01 QGD (typ) (nC) 0.13 QGS (typ) (nC) 0.22 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 230 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 260 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 310 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.01 QGD (typ) (nC) 0.13 QGS (typ) (nC) 0.22 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.5 ID - package limited (A) 1.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • Low on-resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case Size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case Size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 200-mΩ, 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

This 200-mΩ, 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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