LMG210XEVM-143

LMG2104R022 評価基板

LMG210XEVM-143

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概要

LMG210XR022 評価基板 (EVM) は、外部 PWM 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、ハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板を使用すると、LMG210XR022 のハードスイッチング コンバータとしての性能を評価し、効率、スイッチング速度、dv/dt (スルーレート) などのサンプリング測定を実施することができます。この評価基板は、LMG210XR022 ハーフブリッジ パワー モジュールを採用しており、80V GaN FET ハーフブリッジ ゲート ドライバで駆動する 2 個の 100V 2.2mΩ GaN FET を搭載しています。これは外部 PWM 信号を受け入れる開ループの基板であるため、過渡応答の評価には使用しないでください。この評価基板には、LMG2104R022 デバイスが搭載されています。

特長
  • 最大 80V DC の入力電圧で動作
  • ドライバ内蔵、100V、2.2mΩ GaN FET — LMG210XR022
  • シングルまたはデュアル PWM 信号を使用する開ループ制御
  • 可変デッド タイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル入力
  • 単純にポテンショメータを変更するだけで、オンボードのデッドタイム調整機能を構成可能
  • 5.5V ~ 10V の非安定化電圧から 5V の VCC 電源電圧を生成するオンボード LDO
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2104R022 強化された統合ドライバおよび保護機能を内蔵した 100V、2.2mΩ ハーフブリッジ GaN FET LMG2104R044 強化された統合ドライバおよび保護機能を内蔵した 100V、4.4mΩ ハーフブリッジ GaN FET LMG3104R011 強化された統合ドライバおよび保護機能を内蔵した 100V、1.1mΩ GaN FET LMG3104R017 強化された統合ドライバおよび保護機能を内蔵した 100V、1.7mΩ GaN FET
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評価ボード

LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 evaluation module

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LMG210XEVM-143 LMG2104R022 evaluation module

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* EVM ユーザー ガイド (英語) LMG210XR022 評価基板 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025/12/29
証明書 LMG210XEVM-143 EU Declaration of Conformity (DoC) 2025/09/18

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