計算ツール
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
データシート
LMG2104R044
- ドライバ統合型 GaN ハーフブリッジ電力段：100V (GaN FET オプション：2.2mΩ、4.4mΩ)
- 効率的で高密度の電力変換を実現
- 超低伝搬遅延 (20ns) とマッチング (2ns)
- 両方の GaN FET に、独立ターンオンとターンオフのスルーレート制御
- デッド タイム最適化のためのゼロ電圧検出 (ZVD) レポート機能
- 理想ダイオード モード (IDM) により、ソフト スイッチング アプリケーションで第 3 象限での損失を低減
- 入力制御のフレキシビリティ
- 独立入力モード (IIM) 制御
- IO 制限コントローラ向けの抵抗により、プログラマブルなデッド タイム オプション付きシングル PWM 入力
- 堅牢な保護
- IIM モードでのインターロック保護 (LMG2104)
- 内部ブートストラップ電源電圧レギュレーションにより、GaN FET オーバードライブを防止
- VDS 監視に基づくサイクルごとの短絡保護機能
- 過熱、低電圧、短絡イベントの故障通知
- 外部バイアス電源：5V
- 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
- 上面冷却をサポートするための露出上面パッドを備えた、寄生成分最適化された QFN パッケージ
LMG210xR0xx デバイスは、ゲート ドライバと拡張モード ガリウム ナイトライド (GaN) FET を内蔵した 100V ハーフブリッジ電力段です。このデバイスは、2 つの 100V GaN FET を駆動するハーフブリッジ構成の高周波 GaN FET ドライバで構成されています。
GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 (CISS) および出力容量 (COSS) が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられるため、PCB に簡単に取り付けられます。LMG210xR0xx は、 および 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで提供されており、PCB への実装が容易です。
TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧制御技術により、拡張モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内に保たれます。このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。このデバイスは、小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに最適な選択肢です。
技術資料
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| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG210xR0xx 100V 保護機能および スマート スイッチング機能内蔵 GaN ハーフブリッジ電力段 データシート | PDF | HTML | 2026年 5月 19日 |
設計と開発
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評価ボード
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| UNKNOWN (RAR) | 17 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点
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