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LMG3104R017

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強化型ドライバ内蔵、100V、1.7mΩ の GaN FET

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製品詳細

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VQFN-FCRLF (VBE) 15 26 mm² 6.5 x 4
  • 100V GaN power stage with integrated driver: (GaN FET RDS(ON) options: 1.1mΩ and 1.7mΩ)
  • Integrated high-side level shift and bootstrap
    • Two LMG310xR0xx can form a half-bridge
    • No external level shifter is required
  • Efficient and high-density power conversion with
    • Ultra-low propagation delay (20ns) and matching (7ns)
    • Independent turn-on and turn-off slew-rate control for the GaN FET
    • Zero-voltage detection (ZVD) reporting for dead-time optimization
    • Ideal diode mode turn-on (IDM) and turn-off (zero current detection ZCD) to reduce third quadrant losses in soft switching application
  • Input control flexibility
    • Independent input mode (IIM) control
    • Single PWM input with resistor programmable dead time option for IO-limited controllers
  • Robust protection
    • Interlock protection in IIM (LMG3104R0xx)
    • Internal bootstrap supply voltage regulation to prevent GaN FET overdrive
    • VDS monitoring based cycle-by-cycle short-circuit protection
    • Fault indication for overtemperature, supply undervoltage, and short-circuit events
  • External bias power supply: 5V
    • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Parasitic optimized QFN package with exposed top pad to support top-side cooling
  • 100V GaN power stage with integrated driver: (GaN FET RDS(ON) options: 1.1mΩ and 1.7mΩ)
  • Integrated high-side level shift and bootstrap
    • Two LMG310xR0xx can form a half-bridge
    • No external level shifter is required
  • Efficient and high-density power conversion with
    • Ultra-low propagation delay (20ns) and matching (7ns)
    • Independent turn-on and turn-off slew-rate control for the GaN FET
    • Zero-voltage detection (ZVD) reporting for dead-time optimization
    • Ideal diode mode turn-on (IDM) and turn-off (zero current detection ZCD) to reduce third quadrant losses in soft switching application
  • Input control flexibility
    • Independent input mode (IIM) control
    • Single PWM input with resistor programmable dead time option for IO-limited controllers
  • Robust protection
    • Interlock protection in IIM (LMG3104R0xx)
    • Internal bootstrap supply voltage regulation to prevent GaN FET overdrive
    • VDS monitoring based cycle-by-cycle short-circuit protection
    • Fault indication for overtemperature, supply undervoltage, and short-circuit events
  • External bias power supply: 5V
    • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Parasitic optimized QFN package with exposed top pad to support top-side cooling

The LMG310xR0xx devices are a family of 100V enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) HEMT with integrated high frequency driver. The LMG310xR0xx incorporates a high side level shifter and bootstrap circuit, so that two LMG310xR0xx devices can be used to form a half bridge without an additional level shifter. LMG3104R0xx offers logic input interlock in Independent Input Mode (IIM).

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as GaN FETs have zero reverse recovery, very small input capacitance CISS, and output capacitance COSS. The driver and the GaN FET are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG310xR0xx device is available in a 6.5mm × 4mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs support 3.3V and 5V logic levels, regardless of the VCC voltage. A proprietary bootstrap voltage control technique regulates the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs within the safe operating range. The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. The device is an excellent option for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG310xR0xx devices are a family of 100V enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) HEMT with integrated high frequency driver. The LMG310xR0xx incorporates a high side level shifter and bootstrap circuit, so that two LMG310xR0xx devices can be used to form a half bridge without an additional level shifter. LMG3104R0xx offers logic input interlock in Independent Input Mode (IIM).

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as GaN FETs have zero reverse recovery, very small input capacitance CISS, and output capacitance COSS. The driver and the GaN FET are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG310xR0xx device is available in a 6.5mm × 4mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs support 3.3V and 5V logic levels, regardless of the VCC voltage. A proprietary bootstrap voltage control technique regulates the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs within the safe operating range. The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. The device is an excellent option for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.
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* データシート LMG310xR0xx 100V GaN Power Stage With Integrated Protection and Smart-Switching Features データシート PDF | HTML 2026年 5月 21日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 評価基板

LMG210XR044 評価基板は、外部 PWM 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、1 個のハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板を使用すると、LMG210XR044 のハードスイッチング コンバータとしての性能を評価し、効率、スイッチング速度、dv/dt (スルーレート) などのサンプリング測定を実施することができます。この評価基板は、LMG210XR044 ハーフブリッジ パワー モジュールを採用しており、80V GaN FET ハーフブリッジ ゲート (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
英語版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 評価基板

LMG210XR022 評価基板 (EVM) は、外部 PWM 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、ハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板を使用すると、LMG210XR022 のハードスイッチング コンバータとしての性能を評価し、効率、スイッチング速度、dv/dt (スルーレート) などのサンプリング測定を実施することができます。この評価基板は、LMG210XR022 ハーフブリッジ パワー モジュールを採用しており、80V GaN FET ハーフブリッジ ゲート (...)
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TI.com で取り扱いなし
評価ボード

LMG3100EVM-089 — LMG3100 評価基板

LMG3100 評価基板 (EVM) は、外部 PWM (パルス幅変調) 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、1 個のハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板 (EVM) は 2 個の LMG3100 パワー モジュールを実装しており、各モジュールは、ドライバを内蔵した 100V 1.7mΩ の GaN FET を 1 個搭載しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN-FCRLF (VBE) 15 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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