LMG3104R017

LMG310xR0xx デバイスは、高周波ドライバを内蔵した 100V エンハンスメント モード窒化ガリウム (GaN) HEMT のファミリです。LMG310xR0xx には、ハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているので、追加のレベル シフタなしで、2 つの LMG310xR0xx デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。LMG3104R0xx は、独立入力モード (IIM) でロジック入力インターロックを提供します。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバおよび GaN FET は、ボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG310xR0xx デバイスは、6.5mm × 4mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧制御技術により、拡張モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内に保たれます。このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。このデバイスは、小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに最適な選択肢です。