LMG3104R011
- ドライバ内蔵、100V GaN 電力段：(GaN FET の RDS (ON) オプション：1.1mΩ および 1.7mΩ)
- ハイサイドのレベル シフトとブートストラップを内蔵
- 2 つの LMG310xR0xx でハーフ ブリッジを形成
- 外付けのレベル シフタが不要
- 効率的で高密度の電力変換を実現
- 超低伝搬遅延 (20ns) とマッチング (7ns)
- GaN FET に、独立ターンオンとターンオフのスルーレート制御
- デッド タイム最適化のためのゼロ電圧検出 (ZVD) レポート機能
- 理想ダイオード モード ターンオン (IDM) およびターンオフ (ゼロ電流検出 ZCD) により、ソフト スイッチング アプリケーションでの第三象限損失を低減
- 入力制御のフレキシビリティ
- 独立入力モード (IIM) 制御
- IO 制限コントローラ向けの抵抗により、プログラマブルなデッド タイム オプション付きシングル PWM 入力
- 堅牢な保護
- IIM インターロック保護 (LMG3104R0xx)
- 内部ブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
- VDS 監視に基づくサイクルごとの短絡保護機能
- 過熱、低電圧、短絡イベントの故障通知
- 外部バイアス電源：5V
- 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
- 上面冷却をサポートするための露出上面パッドを備えた、寄生成分最適化された QFN パッケージ
LMG310xR0xx デバイスは、高周波ドライバを内蔵した 100V エンハンスメント モード窒化ガリウム (GaN) HEMT のファミリです。LMG310xR0xx には、ハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているので、追加のレベル シフタなしで、2 つの LMG310xR0xx デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。LMG3104R0xx は、独立入力モード (IIM) でロジック入力インターロックを提供します。
GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバおよび GaN FET は、ボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG310xR0xx デバイスは、6.5mm × 4mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。
TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧制御技術により、拡張モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内に保たれます。このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。このデバイスは、小さな外形で高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに最適な選択肢です。
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG310xR0xx 100V GaN 電力段、保護機能および スマート スイッチング機能内蔵 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026/05/21 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 評価基板
LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 評価基板
LMG3100EVM-089 — LMG3100 評価基板
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBE) | 15 | Ultra Librarian |
購入と品質
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。