PMP23249
650V 30mΩ GaN FET 부속 카드 레퍼런스 설계
PMP23249
개요
이 레퍼런스 설계는 필요한 모든 바이어스 회로 및 로직 또는 전력 레벨 전환을 지원하는 하프 브리지 구성에 통합 드라이버 및 보호 기능을 갖춘 LMG352XR0X0 650V GaN FET 두 개를 제공합니다. 전력계, 게이트 구동, 고주파 전류 루프가 보드에 완전히 밀폐되어 전원 루프 기생 인덕턴스를 최소화하여 전압 오버슈팅을 줄이고 성능을 향상시킵니다. 이 설계는 다양한 애플리케이션에서 LMG352XR0X0을 실행하는 외부 전력계와 손쉽게 인터페이스를 위한 소켓 스타일 외부 연결을 위해 구성되어 있습니다.
특징
- LMG352XR030의 성능 평가를 위한 개방형 루프 설계
- 사이클별 과전류 및 래치형 단락 보호
- 더 높은 전력 밀도를 충족하는 크기
- 입력 전압은 최대 650V까지 작동
- 내부 과열 및 저압 잠금(UVLO) 모니터링으로부터 자체 보호
| 출력 전압 옵션 | PMP23249.1 |
|---|---|
| 입력 전압(최소)(V) | 300 |
| 입력 전압(최대)(V) | 650 |
| Vout(공칭값) (V) | 380 |
| Iout(최대)(A) | 9.4 |
| 출력 전력(W) | 3572 |
| 절연/비절연 | Non-Isolated |
| 입력 유형 | DC |
| 토폴로지 | Other |
완조립 보드는 테스팅과 성능 검증을 위해서만 개발되었으며 판매를 위한 것이 아닙니다.
설계 파일 및 제품
설계 파일
바로 사용 가능한 시스템 파일을 다운로드하여 설계 프로세스에 속도를 높여 보십시오.
TIDT304.PDF (900 KB)
효율성 그래프, 테스트 전제 조건 등을 포함한 레퍼런스 디자인에 대한 테스트 결과
TIDMAX9.PDF (138 KB)
설계 구성요소, 참조 지정자 및 제조업체/부품 번호의 전체 목록
제품
TI 제품을 설계 및 잠재적 대안에 포함합니다.
기술 자료
=
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1개 모두 보기
| 유형 | 직함 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | 테스트 보고서 | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 2022. 10. 20 |