JAJSDX1 September   2017 UCC256303

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ハイブリッドヒステリシス制御
      2. 7.3.2  RVCC 12V電源
      3. 7.3.3  帰還信号経路
      4. 7.3.4  オプトカプラ帰還信号入力およびバイアス
      5. 7.3.5  システム外部動作停止
      6. 7.3.6  ピック・ロワー・ブロックとソフトスタート・マルチプレクサ
      7. 7.3.7  ピック・ハイヤー・ブロックとバースト・モード・マルチプレクサ
      8. 7.3.8  VCRコンパレータ
      9. 7.3.9  共振容量電圧検知
      10. 7.3.10 共振電流検知
      11. 7.3.11 バルク電圧検知
      12. 7.3.12 出力電圧検知
      13. 7.3.13 高電圧ゲート・ドライバ
      14. 7.3.14 保護機能
        1. 7.3.14.1 ZCS領域回避
        2. 7.3.14.2 過電流保護（OCP）
        3. 7.3.14.3 過出力電圧保護(VOUTOVP)
        4. 7.3.14.4 過入力電圧保護(VINOVP)
        5. 7.3.14.5 低入力電圧保護(VINUVP)
        6. 7.3.14.6 ブートUVLO
        7. 7.3.14.7 RVCC UVLO
        8. 7.3.14.8 過熱保護(OTP)
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 バースト・モード制御
      2. 7.4.2 ソフトスタートとバースト・モード閾値
      3. 7.4.3 システム状態/異常検出ステートマシン
      4. 7.4.4 波形発生器ステートマシン
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  LLC電力段要件
        2. 8.2.2.2  LLC利得範囲
        3. 8.2.2.3  LnとQeを選択する
        4. 8.2.2.4  等価負荷抵抗を求める
        5. 8.2.2.5  LLC共振回路の部品特性を求める
        6. 8.2.2.6  LLC 1次側電流
        7. 8.2.2.7  LLC 2次側電流
        8. 8.2.2.8  LLC変圧器
        9. 8.2.2.9  LLC共振インダクタ
        10. 8.2.2.10 LLC共振容量
        11. 8.2.2.11 LLC 1次側MOSFET
        12. 8.2.2.12 アダプティブデッドタイムの設計における考慮事項
        13. 8.2.2.13 LLC整流ダイオード
        14. 8.2.2.14 LLC出力容量
        15. 8.2.2.15 BLKピン分圧器
        16. 8.2.2.16 BWピン分圧器
        17. 8.2.2.17 ISNSピン微分器
        18. 8.2.2.18 VCRピン・分圧容量
        19. 8.2.2.19 バースト・モード設定
        20. 8.2.2.20 ソフトスタート容量
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 VCC容量
    2. 9.2 ブート･キャパシタ
    3. 9.3 RVCC容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントのサポート(該当する場合)
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DDB|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

10.1 レイアウトの注意点

  • 電荷蓄積電解容量に加えて、2.2µFのセラミック容量をVCCピンに配置します。2.2µFのセラミック容量は、VCCピンのできるだけ近くに配置する必要があります。
  • RVCCピンには、4.7µF以上のバイパス容量を設置する必要があります。4.7µFのほかに、0.1µFのセラミック容量を追加することを推奨します。これらの容量は、RVCCピンのできるだけ近くに配置する必要があります。RVCC容量は、ブート容量の少なくとも5倍とする必要があります。
  • 推奨する最小のブート容量は0.1µFです。ブート容量の最小値は、最小バースト周波数によって決定する必要があります。ブート容量は、最も低いバースト周波数の間、ブートストラップ電圧を保持するのに十分な大きさを備えたものとします。電気的特性の表のブート漏れ電流を参照してください。
  • GNDピン周辺には広く銅箔の流し込みを用います。
  • BM、ISNS、BLKのフィルタリング容量は、ピンのできるだけ近くに配置する必要があります。
  • FB配線はできるだけ短くする必要があります。
  • ソフトスタート用容量は、LL/SSピンのできるだけ近くに配置する必要があります。
  • 歪みを小さくするために、フィルム容量またはC0G (NP0)セラミック容量をVCR分圧器およびISNS容量で使用します。
  • ノード・インピーダンスを低く保つために、ISNS抵抗は500Ω未満にすることを推奨します。
  • バイアス巻線波形の高いスパイクを除去するために、必要なフィルタリング容量をBWピンに追加します。2次側ターンオフ・エッジでは、内部で信号がピーク検出され、サンプリングされるため、高いスパイクを除去することが重要です。
  • 必要な高電圧空間距離を保ちます。