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DRV8300-Q1

AKTIV

100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au

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Datenblatt

DRV8300-Q1

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Produktdetails

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 0.75 Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 100 Features Bootstrap Diode Operating temperature range (°C) -40 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm² 6.5 x 6.4
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 100-V Three Phase Half-Bridge Gate driver
    • Drives N-Channel MOSFETs (NMOS)
    • Gate Driver Supply (GVDD): 5-20 V
    • MOSFET supply (SHx) support upto 100 V
  • Integrated Bootstrap Diodes
  • Bootstrap gate drive architecture
    • 750-mA source current
    • 1.5-A sink current
  • Supports up to 48-V auto systems
  • Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
  • Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
  • Supports negative transients upto -22-V on SHx
  • Built-in cross conduction prevention
  • Fixed deadtime insertion of 215 ns
  • Supports 3.3-V and 5-V logic inputs with 20 V Abs max
  • 4 nS typical propogation delay matching
  • Compact TSSOP package
  • Efficient system design with Power Blocks
  • Integrated protection features
    • BST undervoltage lockout (BSTUV)
    • GVDD undervoltage (GVDDUV)

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

DRV8300 -Q1 is 100-V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300 -Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750-mA source and 1.5-A sink currents.

The phase pins SHx is able to tolerate the significant negative voltage transients; while high side gate driver supply BSTx and GHx is able to support to higher positive voltage transients (115-V) abs max voltage which improves robustness of the system. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.

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DRV8300 AKTIV Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden Industrial qualified version

Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 2
Typ Titel Datum
* Data sheet DRV8300-Q1: 100-V Three-Phase BLDC Gate Driver datasheet PDF | HTML 08 Dez 2021
Certificate DRV8300DPW-Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 08 Dez 2021

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

DRV8300DPW-Q1EVM — DRV8300DPW-Q1 Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber

Das DRV8300DPW-Q1EVM ist eine bürstenlose 3-phasige 30-A-DC-Ansteuerungsstufe auf Basis des DRV8300DPWRQ1-Gate-Treibers für BLDC-Motoren.  

Der DRV8300DPWRQ1 enthält drei Dioden für den Bootstrap-Betrieb, und macht externe Dioden überflüssig. Das EVM enthält drei Strom-Shunt-Verstärker zur (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Erste Schritte

MSP-MOTOR-CONTROL — MSP firmware solutions for motor control

MSP Motor Control is a collection of software, tools and examples to spin motors in 30 minutes or less with MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCUs and popular motor driver solutions.

MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Arm Cortex-M0+-MCUs
MSPM0G1105 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1106 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G1506 — 3×Operationsverstärker, MCU M0+mit 80 MHz Arm, 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12&nbs MSPM0G1507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3105 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3106 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 64KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 12 bi MSPM0G3505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärker, MSPM0G3506 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G3507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3507-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, Arm M0+ MCU 80 MHz, 128KB Flash, 32KB SRAM, 12 bit MSPM0L1303 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 — Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 — 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U — Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 — Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 — 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 — 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 — Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber (60 V) mit drei Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Schrittmotortreiber
DRV8411A — Doppel-H-Brückentreiber, 1,65 bis 11 V, 4 A mit Stromregelung über IPROPI DRV8889-Q1 — Bipolarer Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie, 50 V, 1,5 A-, integrierte Strommessung & A
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 — Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
BOOSTXL-DRV8323RH — DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) BOOSTXL-DRV8323RS — DRV8323RS dreiphasiger Smart Gate-Treiber mit Abwärts- und Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) DRV8300DIPW-EVM — DRV8300DIPW Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8311HEVM — DRV8311H: Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8316REVM — DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8317HEVM — Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber DRV8328AEVM — DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8329AEVM — DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber DRV8353RH-EVM — DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8353RS-EVM — DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8411AEVM — Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung DRV8706S-Q1EVM — EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem DRV8889-Q1EVM — DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr LP-MSPM0G3507 — MSPM0G3507 LaunchPad™ -Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0L1306 — MSPM0L1306 LaunchPad™ Entwicklungskit für 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
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