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DRV8353R

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Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk

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DRV8353R

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Produktdetails

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional integrated buck regulator
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated LM5008A buck regulator
    • 6 to 95-V operating voltage range
    • 2.5 to 75-V, 350-mA output capability
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional integrated buck regulator
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated LM5008A buck regulator
    • 6 to 95-V operating voltage range
    • 2.5 to 75-V, 350-mA output capability
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)

The DRV835x family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.

The DRV835x uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.

The DRV835x family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.

The DRV835x uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul

The DRV8353RH-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RH gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

Benutzerhandbuch: PDF
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Evaluierungsplatine

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul

The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

Benutzerhandbuch: PDF
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Erste Schritte

MSP-MOTOR-CONTROL — MSP firmware solutions for motor control

MSP Motor Control is a collection of software, tools and examples to spin motors in 30 minutes or less with MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCUs and popular motor driver solutions.

MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Arm Cortex-M0+-MCUs
MSPM0G1105 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1106 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1107 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4MS/s ADC, Operationsverstärker MSPM0G1505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 kB Flash, 16 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G1506 — 3×Operationsverstärker, MCU M0+mit 80 MHz Arm, 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12&nbs MSPM0G1507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3105 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3106 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 64KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107 — Operationsverstärker, 80 MHz Arm® M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2×12 bit 4 Msps ADC, CAN-FD MSPM0G3107-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 12 bi MSPM0G3505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32KB Flash, 16KB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärker, MSPM0G3506 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärke MSPM0G3507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 kB Flash, 32 kB SRAM, 2×12 Bit 4 MS/s ADC, DAC, 3×COMP, 3×Operationsverstärk MSPM0G3507-Q1 — Operationsverstärker für die Automobilindustrie, Arm M0+ MCU 80 MHz, 128KB Flash, 32KB SRAM, 12 bit MSPM0L1303 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1304-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1305 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1305-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1306 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA MSPM0L1306-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN MSPM0L1343 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1344 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1345 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA MSPM0L1346 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
BLDC-Treiber
DRV8300 — Einfacher dreiphasiger Gate-Treiber für max. 100 V mit Bootstrap-Dioden DRV8300-Q1 — 100-V-Batterie-3-Phasen-Gate-Treiber mit präziser Stromerfassung und verbessertem Schutz, für die Au DRV8300U — Einfacher Drei-Phasen-Gate-Treiber mit Bootstrap-Dioden und verbessertem UVLO-Schutz, max. 100 V DRV8311 — Max. 24 V abs., 3 bis 20 V, dreiphasiger bürstenloser Gleichstrom-Motortreiber mit integrierten FETs DRV8316 — 3-Phasen-Motortreiber mit 8-A-Peak für max. 40 V mit integrierter Strommessung und integrierten FETs DRV8316-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8316C-Q1 — 40-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 8 A Spitze und integrierter Strommessung (Automobilindustrie) DRV8317 — 24-V-Drei-Phasen-Motortreiber, max. 5 A Spitze und integrierte FETs und Strommessung DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8328 — Dreiphasiger 60-V-Gate-Treiber für 1000/2000 mA DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber, 60 V, 1000/2000 mA mit einzelnem Strommessverstärker DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
Schrittmotortreiber
DRV8411A — Doppel-H-Brückentreiber, 1,65 bis 11 V, 4 A mit Stromregelung über IPROPI DRV8889-Q1 — Bipolarer Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie, 50 V, 1,5 A-, integrierte Strommessung & A
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
DRV8706-Q1 — Intelligenter 40-V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
Hardware-Entwicklung
BOOSTXL-DRV8323RH — DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) BOOSTXL-DRV8323RS — DRV8323RS dreiphasiger Smart Gate-Treiber mit Abwärts- und Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle) DRV8300DIPW-EVM — DRV8300DIPW Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul DRV8311HEVM — DRV8311H: Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8316REVM — DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8317HEVM — Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber DRV8328AEVM — DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber DRV8329AEVM — DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber DRV8353RH-EVM — DRV8353RH – Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8353RS-EVM — DRV8353RS-Dreiphasiges Smart Gate-Treiber-Evaluierungsmodul DRV8411AEVM — Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung DRV8706S-Q1EVM — EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem DRV8889-Q1EVM — DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr LP-MSPM0G3507 — MSPM0G3507 LaunchPad™ -Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU LP-MSPM0L1306 — MSPM0L1306 LaunchPad™ Entwicklungskit für 32-MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU
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MSPM0-SDK — MSPM0 software development kit (SDK)
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BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
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BLDC-Treiber
DRV8320 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V DRV8320R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler DRV8323 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 65 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8323R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 65 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärke DRV8329 — Dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber, 60 V, 1000/2000 mA mit einzelnem Strommessverstärker DRV8334 — 3-Phasen-Gate-Treiber, 60 V, 1000 mA bis 2000 mA, mit genauer Strommessung DRV8340-Q1 — 12-bis-24-V-Batterie-3-Phasen-Smart-Gate-Treiber DRV8343-Q1 — 12-bis-24-V-Batterie-3-Phasen-Smart-Gate-Treiber mit Strom-Shunt-Verstärkern für die Automobilind DRV8350 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V DRV8350F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikationen DRV8350R — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Abwärtsregler DRV8353 — 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, max. 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern DRV8353F — 102-V max. 3-phasiger Smart Gate-Treiber mit 3x CSA, qualifiziert für Funktionssicherheitsapplikatio DRV8353M — Maximal 3-phasiger intelligenter Gate-Treiber, 102 V, mit Strom-Shunt-Verstärkern und erweitertem Te DRV8353R — Maximal dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber für 102 V mit Abwärtsregler und Strom-Shunt-Verstärk
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