계산 툴
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
LM7481-Q1
- AEC-Q100 qualified for automotive applications
- Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4B
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –65 V
- Drives external back to back N-channel MOSFETs
- Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
- Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
- Active rectification up to 200-KHz
- 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
- 2.6-A peak DGATE turnoff current
- Integrated 3.8-mA charge pump
- Adjustable over voltage protection
- Low 2.87 µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
- 2.6-A peak DGATE turn-off current
- Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
- Available in space saving 12-Pin WSON package
The LM74810-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and over voltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. A strong charge pump of 3.8 mA with 60-mA peak GATE source current driver stage and short turn ON and turn OFF delay times ensures fast transient response ensuring robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124 where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals upto 200-KHz frequency. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and over voltage protection using HGATE control. The device features an adjustable over voltage cut-off protection feature for load dump protection.
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기술 문서
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모두 보기8 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM7481-Q1 Ideal Diode Controller with Active Rectification and Load Dump Protection datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2020/12/07 |
| Functional safety information | LM7481-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD, and Pin FMA | PDF | HTML | 2024/04/05 | |
| Application note | Basics of Ideal Diodes (Rev. B) | PDF | HTML | 2021/10/05 | |
| EVM User's guide | LM74810 Evaluation Module: LM74810EVM (Rev. A) | PDF | HTML | 2020/12/09 | |
| Analog Design Journal | Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers | 2020/09/22 | ||
| Application note | Ideal Diode Controllers for Active Rectification of AC Voltage Ripple | 2020/06/30 | ||
| White paper | 자동차 및 산업 분야의 기능적 안전성 인증 간소화 | 2020/06/09 | ||
| Application note | Six System Architectures With Robust Reverse Battery Protection | 2020/04/30 |
설계 및 개발
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평가 보드
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Design guide: PDF
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| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.