계산 툴
FET-INRUSH-SOA-CALC — FET SOA margin calculator for dvdt based startup
The design calculator allows user to estimate the FET SOA margin while starting up with dVdt based startup for inrush current control
LM7481
- Qualified for extended temperature applications
- Device temperature: –55°C to +125°C ambient operating temperature range
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –65 V
- Drives external back to back N-channel MOSFETs
- Ideal diode operation with 9.1-mV A to C forward voltage drop regulation
- Low reverse detection threshold (–4 mV) with fast response (0.5 µs)
- Active rectification up to 200-KHz
- 60-mA peak gate (DGATE) turn-on current
- 2.6-A peak DGATE turnoff current
- Integrated 3.8-mA charge pump
- Adjustable overvoltage protection
- Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
- 2.6-A peak DGATE turn-off current
- Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
- Available in space saving 12-pin WSON package
The LM74810 ideal diode controller drives and controls external back to back N-channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3V to 65V allows protection and control of 12-V and 24-V input powered systems. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65-V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM74810 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme. With common drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using another ideal diode. The LM74810 has a maximum voltage rating of 65V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V unsuppressed load dumps in 24-V battery systems by configuring the device with external MOSFETs in common source topology.
기술 문서
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모두 보기1 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM7481 3-V to 65-V Ideal Diode Controller Driving Back to Back NFETs datasheet | PDF | HTML | 2022/12/22 |
설계 및 개발
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| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| WSON (DRR) | 12 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.