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TPS2105-EP

활성

2.7~5.5V 이중 입력/단일 출력 MOSFET, 0.5A 주/0.1A 보조 입력, 액티브 하이 활성화

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TPS2116 활성 1.6V~5.5V, 40mΩ, 2.5A, 저 IQ, 우선 순위 전원 멀티플렉서 Higher output current (2.5A), wider voltage range (1.6V to 5.5V), and smaller operating temperature range (-40°C to 105°C)

TPS2105-EP

활성
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제품 상세 정보

IN1, IN2 input voltage (min) (V) 2.7 IN1, IN2 input voltage (max) (V) 5.5 IN1 rDS(on) (typ) (mΩ) 250 IN2 rDS(on) (typ) (mΩ) 1300 IN1 output current (max) (A) 0.5 IN2 output current (max) (A) 0.1 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 FET Internal Device type Power muxes
IN1, IN2 input voltage (min) (V) 2.7 IN1, IN2 input voltage (max) (V) 5.5 IN1 rDS(on) (typ) (mΩ) 250 IN2 rDS(on) (typ) (mΩ) 1300 IN1 output current (max) (A) 0.5 IN2 output current (max) (A) 0.1 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 FET Internal Device type Power muxes
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With
    No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes)
  • IN1: 250-mΩ, 500-mA N-Channel; 18-µA Supply Current
  • IN2: 1.3-mΩ, 100-mA P-Channel; 0.75-µA Supply
    Current (VAUX Mode)
  • Advanced Switch Control Logic
  • CMOS and TTL Compatible Enable Input
  • Controlled Rise, Fall, and Transition Times
  • 2.7-V to 5.5-V Operating Range
  • SOT-23-5 Package
  • 2-kV Human Body Model, 750-V Charged Device Model,
    200-V Machine-Model ESD Protection
  • Supports Defense, Aerospace, and Medical Applications
    • Controlled Baseline
    • One Assembly and Test Site
    • One Fabrication Site
    • Available in Military (–55°C to 125°C)
      Temperature Range
    • Extended Product Life Cycle
    • Extended Product-Change Notification
    • Product Traceability
  • Dual-Input, Single-Output MOSFET Switch With
    No Reverse Current Flow (No Parasitic Diodes)
  • IN1: 250-mΩ, 500-mA N-Channel; 18-µA Supply Current
  • IN2: 1.3-mΩ, 100-mA P-Channel; 0.75-µA Supply
    Current (VAUX Mode)
  • Advanced Switch Control Logic
  • CMOS and TTL Compatible Enable Input
  • Controlled Rise, Fall, and Transition Times
  • 2.7-V to 5.5-V Operating Range
  • SOT-23-5 Package
  • 2-kV Human Body Model, 750-V Charged Device Model,
    200-V Machine-Model ESD Protection
  • Supports Defense, Aerospace, and Medical Applications
    • Controlled Baseline
    • One Assembly and Test Site
    • One Fabrication Site
    • Available in Military (–55°C to 125°C)
      Temperature Range
    • Extended Product Life Cycle
    • Extended Product-Change Notification
    • Product Traceability

The TPS2105 is a dual-input, single-output power switch designed to provide uninterrupted output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one N-channel (250 mΩ) and one P-channel (1.3-Ω) MOSFET with a single output. The P-channel MOSFET (IN2) is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The N-channel MOSFET (IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low on-resistance makes the N-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation and system voltage drops are critical. When using the P-channel MOSFET, quiescent current is reduced to 0.75 µA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2105 do not have the parasitic diodes, typically found in discrete MOSFETs, thereby preventing back-flow current when the switch is off.

The TPS2105 is a dual-input, single-output power switch designed to provide uninterrupted output voltage when transitioning between two independent power supplies. Both devices combine one N-channel (250 mΩ) and one P-channel (1.3-Ω) MOSFET with a single output. The P-channel MOSFET (IN2) is used with auxiliary power supplies that deliver lower current for standby modes. The N-channel MOSFET (IN1) is used with a main power supply that delivers higher current required for normal operation. Low on-resistance makes the N-channel the ideal path for higher main supply current when power-supply regulation and system voltage drops are critical. When using the P-channel MOSFET, quiescent current is reduced to 0.75 µA to decrease the demand on the standby power supply. The MOSFETs in the TPS2105 do not have the parasitic diodes, typically found in discrete MOSFETs, thereby preventing back-flow current when the switch is off.
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* Data sheet TPS2105-EP VAUX Power-Distribution Switch datasheet PDF | HTML 2014/07/07
* VID TPS2105-EP VID V6214616 2016/06/21

설계 및 개발

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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
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  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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