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UCC27211A-Q1

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8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버

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UCC27211A-Q1

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Features Negative voltage handling TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Features Negative voltage handling TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade –40°C to +140°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM Classification Level 2
    • Device CDM Classification Level C6
  • Drives Two N-Channel MOSFETs in High-Side and Low-Side Configuration With Independent Inputs
  • Maximum Boot Voltage 120-V DC
  • 4-A Sink, 4-A Source Output Currents
  • 0.9-Ω Pullup and Pulldown Resistance
  • Input Pins Can Tolerate –10 V to +20 V and are Independent of Supply Voltage Range
  • TTL Compatible Inputs
  • 8-V to 17-V VDD Operating Range, (20-V ABS MAX)
  • 7.2-ns Rise and 5.5-ns Fall Time With 1000-pF Load
  • Fast Propagation Delay Times (20-ns typical)
  • 4-ns Delay Matching
  • Symmetrical Undervoltage Lockout for High-Side and Low-Side Driver
  • Available in the Industry Standard SO-PowerPAD SOIC-8 Package
  • Specified from –40 to +140°C
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified With the Following Results:
    • Device Temperature Grade –40°C to +140°C Ambient Operating Temperature Range
    • Device HBM Classification Level 2
    • Device CDM Classification Level C6
  • Drives Two N-Channel MOSFETs in High-Side and Low-Side Configuration With Independent Inputs
  • Maximum Boot Voltage 120-V DC
  • 4-A Sink, 4-A Source Output Currents
  • 0.9-Ω Pullup and Pulldown Resistance
  • Input Pins Can Tolerate –10 V to +20 V and are Independent of Supply Voltage Range
  • TTL Compatible Inputs
  • 8-V to 17-V VDD Operating Range, (20-V ABS MAX)
  • 7.2-ns Rise and 5.5-ns Fall Time With 1000-pF Load
  • Fast Propagation Delay Times (20-ns typical)
  • 4-ns Delay Matching
  • Symmetrical Undervoltage Lockout for High-Side and Low-Side Driver
  • Available in the Industry Standard SO-PowerPAD SOIC-8 Package
  • Specified from –40 to +140°C

The UCC27211A-Q1 device driver is based on the popular UCC27201 MOSFET drivers; but, this device offers several significant performance improvements.

The peak output pullup and pulldown current has been increased to 4-A source and 4-A sink, and pullup and pulldown resistance have been reduced to 0.9 Ω, and thereby allows for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure can directly handle –10 VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20-V maximum rating.

The switching node of the UCC27211A-Q1 (HS pin) can handle –18-V maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27211A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.

The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 2 ns between the turn on and turn off of each other.

An on-chip 120-V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27211A-Q1 device is offered in an 8-Pin SO-PowerPAD package.

The UCC27211A-Q1 device driver is based on the popular UCC27201 MOSFET drivers; but, this device offers several significant performance improvements.

The peak output pullup and pulldown current has been increased to 4-A source and 4-A sink, and pullup and pulldown resistance have been reduced to 0.9 Ω, and thereby allows for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure can directly handle –10 VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20-V maximum rating.

The switching node of the UCC27211A-Q1 (HS pin) can handle –18-V maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27211A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.

The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 2 ns between the turn on and turn off of each other.

An on-chip 120-V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27211A-Q1 device is offered in an 8-Pin SO-PowerPAD package.
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기술 문서

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유형 직함 날짜
* Data sheet UCC27211A-Q1 120-V Boot, 4-A Peak, High-Frequency High-Side and Low-Side Driver datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2016/01/07
Functional safety information UCC27211A-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2022/03/17
Application note Understanding and comparing peak current capability of gate drivers PDF | HTML 2021/03/30
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018/10/29

설계 및 개발

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시뮬레이션 모델

UCC27211 PSpice Transient Model

SLUM245.ZIP (31 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

UCC27211 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM304.TSC (107 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

UCC27211 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM305.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
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시뮬레이션 모델

UCC27211 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM504.ZIP (1 KB) - PSpice Model
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계산 툴

SLURB12 — UCC272xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
하프 브리지 드라이버
UCC27201A-DIE — 120V 부트, 3A 피크, 고주파수, 고압측/저압측 드라이버 UCC27201A-Q1 — 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27210 — 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버(8V UVLO 및 CMOS 입력 지원) UCC27211 — 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27211A — 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27211A-Q1 — 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27212 — 5V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27212A-Q1 — 5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27282 — 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 드라이버 UCC27282-Q1 — 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프브리지 드라이버 UCC27284 — 5V UVLO 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27284-Q1 — 5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27288 — 8V UVLO를 지원하고 내부 부트스트랩 다이오드가 없는 2.5A~3.5A 120V 하프 브리지 드라이버 UCC27289 — 8V UVLO 및 활성화를 지원하는 2.5A~3.5A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버
AC/DC & DC/DC controllers (external FET)
UCC27200 — 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27200-Q1 — 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 차량용 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27200A — 8V UVLO, 음극 전압 처리 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201 — 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201A — 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버
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시뮬레이션 툴

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HSOIC (DDA) 8 옵션 보기
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포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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