전원 관리 게이트 드라이버 저압측 드라이버

UCC27624-Q1

활성

4V UVLO, 30V VDD 및 낮은 전파 지연을 지원하는 오토모티브 5A/5A 듀얼 채널 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Dual, Non-Inverting
Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Dual, Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified
    • Device Temperature Grade 1
    • Device HBM ESD Classification Level H1C
    • Device CDM ESD Classification Level C6
  • Typical 5-A peak source and sink drive current for each channel
  • Input and enable pins capable of handling –10 V
  • Output capable of handling –2-V transients
  • Absolute maximum VDD voltage: 30 V
  • Wide VDD operating range from 4.5 V to 26 V with UVLO
  • Hysteretic-logic thresholds for high noise immunity
  • VDD independent input thresholds (TTL compatible)
  • Fast propagation delays (17-ns typical)
  • Fast rise and fall times (6-ns and 10-ns typical)
  • 1-ns typical delay matching between the two channels
  • Two channels can be paralleled for higher drive current
  • SOIC8 and VSSOP8 PowerPAD™ package options
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C
  • Qualified for Automotive Applications
  • AEC-Q100 Qualified
    • Device Temperature Grade 1
    • Device HBM ESD Classification Level H1C
    • Device CDM ESD Classification Level C6
  • Typical 5-A peak source and sink drive current for each channel
  • Input and enable pins capable of handling –10 V
  • Output capable of handling –2-V transients
  • Absolute maximum VDD voltage: 30 V
  • Wide VDD operating range from 4.5 V to 26 V with UVLO
  • Hysteretic-logic thresholds for high noise immunity
  • VDD independent input thresholds (TTL compatible)
  • Fast propagation delays (17-ns typical)
  • Fast rise and fall times (6-ns and 10-ns typical)
  • 1-ns typical delay matching between the two channels
  • Two channels can be paralleled for higher drive current
  • SOIC8 and VSSOP8 PowerPAD™ package options
  • Operating junction temperature range of –40°C to 150°C

The UCC27624-Q1 is a dual-channel, high-speed, low-side gate driver that effectively drives MOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches. UCC27624-Q1 has a typical peak drive strength of 5 A, which reduces rise and fall times of the power switches, lowers switching losses, and increases efficiency. The device’s fast propagation delay (17-ns typical) yields better power stage efficiency by improving the deadtime optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27624-Q1 can handle –10 V at its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independently of main control logic. In the event of a system fault, the gate driver can quickly shut-off by pulling enable low. Many high-frequency switching power supplies exhibit noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin on the gate driver and can cause the driver to malfunction. The device’s transient reverse current and reverse voltage capability allow it to tolerate noise on the gate of the power device or pulse-transformer and avoid driver malfunction.

The UCC27624-Q1 also features undervoltage lockout (UVLO) for improved system robustness. When there is not enough bias voltage to fully enhance the power device, the gate driver output is held low by the strong internal pull down MOSFET.

The UCC27624-Q1 is a dual-channel, high-speed, low-side gate driver that effectively drives MOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches. UCC27624-Q1 has a typical peak drive strength of 5 A, which reduces rise and fall times of the power switches, lowers switching losses, and increases efficiency. The device’s fast propagation delay (17-ns typical) yields better power stage efficiency by improving the deadtime optimization, pulse width utilization, control loop response, and transient performance of the system.

UCC27624-Q1 can handle –10 V at its inputs, which improves robustness in systems with moderate ground bouncing. The inputs are independent of supply voltage and can be connected to most controller outputs for maximum control flexibility. An independent enable signal allows the power stage to be controlled independently of main control logic. In the event of a system fault, the gate driver can quickly shut-off by pulling enable low. Many high-frequency switching power supplies exhibit noise at the gate of the power device, which can get injected into the output pin on the gate driver and can cause the driver to malfunction. The device’s transient reverse current and reverse voltage capability allow it to tolerate noise on the gate of the power device or pulse-transformer and avoid driver malfunction.

The UCC27624-Q1 also features undervoltage lockout (UVLO) for improved system robustness. When there is not enough bias voltage to fully enhance the power device, the gate driver output is held low by the strong internal pull down MOSFET.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

기술 문서

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
모두 보기4
유형 직함 날짜
* Data sheet UCC27624-Q1 30-V, 5-A, Dual-Channel, Low-Side Gate Driver with –10-V Input Capability For Automotive Applications datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2022/11/14
Application note Selecting Gate Drivers for HVAC Systems PDF | HTML 2024/04/04
Application note Why use a Gate Drive Transformer? PDF | HTML 2024/03/04
Application note Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 2021/11/10

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC27624DGNEVM — 듀얼 채널 30V, 5A 고속 저압측 게이트 드라이버용 UCC27624 평가 모듈

UCC27624 EVM(평가 모듈)은 30V, 5A 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트 매개변수를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 것을 목표로 합니다. 드라이버 IC는 다양한 정전식 및 저항식 부하를 기준으로 평가할 수 있습니다. 더 높은 게이트 드라이브 출력 전류를 위해 드라이버 IC 채널을 병렬화하도록 EVM을 구성할 수 있습니다. 이 EVM에는 TO-220 풋프린트를 지원하는 전원 트랜지스터를 평가하기 위한 프로비저닝이 포함되어 있습니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없습니다
평가 보드

UCC27624EVM — UCC27624 평가 모듈 듀얼 채널 30V, 5A 고속 저압측 게이트 드라이버

UCC27624 EVM(평가 모듈)은 TI의 30V, 5A 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터시트 매개변수를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 것을 목표로 합니다. 드라이버 IC는 다양한 정전식 및 저항식 부하를 기준으로 평가할 수 있습니다. 더 높은 게이트 드라이브 출력 전류를 위해 드라이버 IC 채널을 병렬화하도록 EVM을 구성할 수 있습니다. 이 EVM에는 TO-220 풋프린트를 지원하는 전원 트랜지스터를 평가하기 위한 프로비저닝이 포함되어 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매할 수 없습니다
시뮬레이션 모델

UCC27624 PSpice Transient Model

SLUM884.ZIP (32 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

UCC27624 SIMPLIS Model

SLUM795.ZIP (34 KB) - SIMPLIS Model
계산 툴

SLURB19 UCC27624-Q1 Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
저압측 드라이버
UCC27624-Q1 4V UVLO, 30V VDD 및 낮은 전파 지연을 지원하는 오토모티브 5A/5A 듀얼 채널 게이트 드라이버
시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 (...)
패키지 다운로드
HVSSOP (DGN) 8 옵션 보기
SOIC (D) 8 옵션 보기

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상