氮化鎵 (GaN) 功率級

運用我們適合各種功率位準的 GaN 功率裝置產品組合,將功率密度與效率最大化

parametric-filter檢視所有產品
我們的氮化鎵 (GaN) FET系列配備整合式閘極驅動器與 GaN 功率裝置,提供具使用壽命可靠性與成本效益的最高效率 GaN 解決方案。GaN 電晶體切換速度比矽 MOSFET 快許多,其提供可實現低切換損耗的電位。我們的 GaN 功率級可用於廣泛應用範圍,從電信、伺服器、馬達驅動器與筆記型電腦變壓器,乃至電動車的車載充電器皆適用。

尋找您的 GaN 功率級

LMG3426R050
氮化鎵 (GaN) 功率級

具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET

約略價格 (USD) 1ku | 7.94

LMG2100R044
氮化鎵 (GaN) 功率級

具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET

約略價格 (USD) 1ku | 3.75

LMG3426R030
氮化鎵 (GaN) 功率級

具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET

約略價格 (USD) 1ku | 11.844

LMG3100R017
氮化鎵 (GaN) 功率級

具有整合式驅動器的 100V 1.7mΩ GaN FET

約略價格 (USD) 1ku | 4.9

LMG3616
氮化鎵 (GaN) 功率級

具有整合式驅動器和防護功能的 650-V 270-mΩ GaN FET

約略價格 (USD) 1ku | 2.2

LMG3612
氮化鎵 (GaN) 功率級

具有整合式驅動器和防護功能的 650-V 120-mΩ GaN FET

約略價格 (USD) 1ku | 3.25

TI GaN 技術的優點

checkmark

比離散 GaN FET 更快的切換速度

我們的 GaN FET 搭載整合式驅動器,可提供 150 V/ns 的切換速度。這些切換速度結合低電感封裝,可減少損耗、實現乾淨切換並減少振鈴。

checkmark

更小的磁性元件,更高的功率密度

我們的 GaN 裝置具備更快的切換速度,可幫助您實現超過 500 kHz 的切換頻率,最多可讓磁性元件縮小 60%,提升性能並降低系統成本。

checkmark

專為可靠性打造

運用專利矽基氮化鎵技術製程、超過 4 千萬小時的可靠性測試與保護功能,我們的 GaN 裝置可確保高電壓系統安全無虞。

checkmark

專屬設計工具與資源

利用我們的 GaN 設計資源縮短上市時間,其中包括功率損耗計算機、電路模擬專用的 PLECS 模型,以及可在較大型系統中測試與操作的評估電路板。

為什麼選擇 GaN

了解 GaN 技術

GaN 比傳統僅以矽為主的解決方案提供更高的功率密度、更可靠的運作,以及更高的效率。前往我們的技術頁面進一步了解 GaN 即功率電晶體技術、探索精選 GaN 應用、聆聽客戶的意見,並且親自了解我們的 GaN 產品如何協助您將下一個電源設計的重量、尺寸與成本降到最低。

可協助進行設計的工具與資源

我們提供眾多資源協助您進行設計,同時也協助您選擇適合應用領域的裝置。我們的功率損耗計算工具可透過在使用者指定參數顯示所選裝置的功率損耗來協助您選擇產品。我們的 PLECS 模型可讓您模擬 GaN 裝置的運作,估算 FET 結溫,並允許在開啟過程中調整轉換速率。我們的半橋評估子卡也可用於較大型系統中的測試和運作。

技術資源

Application note
Application note
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
熱量管理可促成高功率設計的成功或失敗。我們的 QFN 12 x 12 封裝設計旨在為各種應用領域提供卓越性能。進一步了解封裝,並閱讀有關如何將熱量設計最佳化的秘訣。
document-pdfAcrobat PDF
White paper
White paper
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
我們的 dMode GaN 裝置系列可在無共源共閘的情況下進行正常關閉運作。進一步了解直接驅動器架構及其優點。
document-pdfAcrobat PDF
Application note
Application note
Third quadrant operation of GaN
進一步了解 GaN 在第三象限的運作,以及如何將死區時間損失降到最低。
document-pdfAcrobat PDF

設計與開發資源

參考設計
以 GaN 為基礎的 11-kW、雙向、三相 ANPC 參考設計

此參考設計提供實作三階三相氮化鎵 (GaN) 型 ANPC 逆變器功率級的設計範本。使用快速切換功率裝置可在更高的 100 kHz 頻率進行切換、減少濾波器的磁性元件尺寸,以及提升功率級的功率密度。多階拓撲允許在高達 1000 V 的較高 DC 匯流排電壓下使用 600-V 額定電源裝置。低切換電壓應力減少切換損耗,導致峰值效率達 98.5%。

參考設計
具 C2000 和 GaN 的 4-kW 單相圖騰柱 PFC 參考設計
This reference design is a 4-kW CCM totem-pole PFC with F280049/F280025 control card and LMG342x EVM board. This design demos a robust PFC solution, which avoids isolated current sense by putting the controller's ground in the middle of a MOSFET leg. Benefitting from non-isolation, AC current (...)
參考設計
GaN 式 6.6-kW 雙向車載充電器參考設計
PMP22650 參考設計為 6.6-kW 雙向車載充電器。此設計採用雙相圖騰柱 PFC 與具同步整流的全橋 CLLLC 轉換器。CLLLC 利用頻率和相位調變來調節所需調節範圍內的輸出。此設計在 TMS320F28388D 微控制器中使用單一處理核心,以控制 PFC 和 CLLLC 二者。同步整流可透過與 Rogowski 線圈電流感測器相同的微控制器實作。透過使用高速 GaN 開關 (LMG3522) 可實現高密度。PFC 以 120 kHz 運作,CLLLC 則以 200 kHz 至 800 kHz 的可變頻率運作。開放訊框功率密度 3.8 kW/L 實現 96.5% (...)

與氮化鎵 (GaN) 功率級相關的參考設計

使用我們的參考設計選擇工具,找出最適合您的應用和參數設計。