JAJSRL6A November 2023 – July 2025 AFE432A3W , AFE532A3W
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
TA = 25℃ の場合、VDD = 5.5V、IOUT-GAIN = 2/3、ダイオード負荷 (特に記述のない限り)
| IOUT = 300mA |
| ¼ スケールから ¾ スケールまでのスイング |
| ¾ スケールから ¼ スケールまで |
| 誘導性負荷 |
| f = 0.1Hz ~ 10Hz、誘導性負荷 |
| 誘導性負荷 |
| IOUT = 100mA |
| ゼロスケールからフルスケールまでのスイング |
| ダイオード負荷 |
| f = 0.1Hz ~ 10Hz、ダイオード負荷 |
| ダイオード負荷 |