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INA818

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±60V の過電圧保護機能搭載 (ゲイン ピン 1 と 8)、低消費電力 (350μA)、高精度計測アンプ

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INA818

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製品詳細

Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 4.5 Input offset (±) (max) (µV) 35 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 8 Features Overvoltage protection, Super-beta CMRR (min) (dB) 110 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 0.4 Input bias current (±) (max) (nA) 0.5 Iq (typ) (mA) 0.35 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.15 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.0015 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.19
Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 4.5 Input offset (±) (max) (µV) 35 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 10000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 8 Features Overvoltage protection, Super-beta CMRR (min) (dB) 110 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 0.4 Input bias current (±) (max) (nA) 0.5 Iq (typ) (mA) 0.35 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.15 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.0015 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.19
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 低いオフセット電圧： 10µV (標準値)、35µV (最大値)
  • ゲイン・ドリフト係数： 5ppm/°C (G = 1)、35ppm/°C (G > 1) (最大値)
  • ノイズ: 8nV/√Hz
  • 帯域幅: 2MHz (G = 1)、270kHz (G = 100)
  • 1nF の容量性負荷で安定
  • ±60V まで入力を保護
  • 同相除去比： 110dB、G = 10 (最小値)
  • 電源電圧除去比：100dB、G = 1 (最小値)
  • 消費電流： 385µA (最大値)
  • 電源電圧範囲
    • シングル電源: 4.5V～36V
    • デュアル電源: ±2.25V～±18V
  • 規定温度範囲: -40°C～+125°C
  • パッケージ：8 ピン SOIC
  • 低いオフセット電圧： 10µV (標準値)、35µV (最大値)
  • ゲイン・ドリフト係数： 5ppm/°C (G = 1)、35ppm/°C (G > 1) (最大値)
  • ノイズ: 8nV/√Hz
  • 帯域幅: 2MHz (G = 1)、270kHz (G = 100)
  • 1nF の容量性負荷で安定
  • ±60V まで入力を保護
  • 同相除去比： 110dB、G = 10 (最小値)
  • 電源電圧除去比：100dB、G = 1 (最小値)
  • 消費電流： 385µA (最大値)
  • 電源電圧範囲
    • シングル電源: 4.5V～36V
    • デュアル電源: ±2.25V～±18V
  • 規定温度範囲: -40°C～+125°C
  • パッケージ：8 ピン SOIC

INA818 は、単一電源またはデュアル電源の非常に幅広い電圧範囲で動作する、低消費電力の高精度計装アンプです。1 個の外付け抵抗で、1～10000 の任意のゲインを設定できます。このデバイスは、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフト、入力バイアス電流、入力電圧ノイズ、入力電流ノイズを極めて低く抑えるスーパーβ入力トランジスタを使用することで、高い精度を実現します。追加回路により、±60V までの過電圧から入力を保護します。

INA818 は、高い同相除去比を実現するよう最適化されています。G = 1 での同相除去比は、全入力同相範囲を通じて 90dB を上回ります。このデバイスは、4.5V 単一電源および最高±18V のデュアル電源による低電圧動作用に設計されています。

INA818 は 8 ピン SOIC パッケージで供給され、-40℃～+125℃の温度範囲で動作が規定されています。

INA818 は、単一電源またはデュアル電源の非常に幅広い電圧範囲で動作する、低消費電力の高精度計装アンプです。1 個の外付け抵抗で、1～10000 の任意のゲインを設定できます。このデバイスは、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフト、入力バイアス電流、入力電圧ノイズ、入力電流ノイズを極めて低く抑えるスーパーβ入力トランジスタを使用することで、高い精度を実現します。追加回路により、±60V までの過電圧から入力を保護します。

INA818 は、高い同相除去比を実現するよう最適化されています。G = 1 での同相除去比は、全入力同相範囲を通じて 90dB を上回ります。このデバイスは、4.5V 単一電源および最高±18V のデュアル電源による低電圧動作用に設計されています。

INA818 は 8 ピン SOIC パッケージで供給され、-40℃～+125℃の温度範囲で動作が規定されています。
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技術資料

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設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

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  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
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  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
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