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INA828

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50μV オフセット、7nV/√Hz ノイズ、低消費電力、高精度計測アンプ

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INA828

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製品詳細

Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 4.5 Input offset (±) (max) (µV) 50 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 7 Features Overvoltage protection, Super-beta CMRR (min) (dB) 140 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 0.5 Input bias current (±) (max) (nA) 0.6 Iq (typ) (mA) 0.6 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.15 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.002 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.14
Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 4.5 Input offset (±) (max) (µV) 50 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 7 Features Overvoltage protection, Super-beta CMRR (min) (dB) 140 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 0.5 Input bias current (±) (max) (nA) 0.6 Iq (typ) (mA) 0.6 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 2 Gain error (±) (max) (%) 0.15 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.002 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.15 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.15 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.14
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 高精度計測アンプの発展
    • 第2世代: INA828
    • 第1世代: INA128
  • 低いオフセット電圧: 最大50µV
  • ゲイン・ドリフト係数: 5ppm/℃(G = 1)、50ppm/℃(G > 1)
  • ノイズ: 7nV/√Hz
  • 帯域幅: 2MHz (G = 1)、260kHz (G = 100)
  • 1nFの容量性負荷で安定
  • ±40Vまで入力を保護
  • 同相信号除去:
    • 110dB (最小値、G = 10)
  • 電源電圧除去: 100dB (最小値、G = 1)
  • 消費電流: 650µA (最大値)
  • 電源電圧範囲:
    • 単一電源: 4.5V～36V
    • デュアル電源: ±2.25V～±18V
  • 定格温度範囲:
    -40℃～+125℃
  • パッケージ: 8ピンSOIC
  • 高精度計測アンプの発展
    • 第2世代: INA828
    • 第1世代: INA128
  • 低いオフセット電圧: 最大50µV
  • ゲイン・ドリフト係数: 5ppm/℃(G = 1)、50ppm/℃(G > 1)
  • ノイズ: 7nV/√Hz
  • 帯域幅: 2MHz (G = 1)、260kHz (G = 100)
  • 1nFの容量性負荷で安定
  • ±40Vまで入力を保護
  • 同相信号除去:
    • 110dB (最小値、G = 10)
  • 電源電圧除去: 100dB (最小値、G = 1)
  • 消費電流: 650µA (最大値)
  • 電源電圧範囲:
    • 単一電源: 4.5V～36V
    • デュアル電源: ±2.25V～±18V
  • 定格温度範囲:
    -40℃～+125℃
  • パッケージ: 8ピンSOIC

INA828は、単一電源またはデュアル電源の非常に幅広い電圧範囲で動作する、低消費電力の高精度計測アンプです。単一の外付け抵抗によって、1～1000の範囲でゲインを設定できます。このデバイスは、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフト、入力バイアス電流、入力電圧ノイズ、入力電流ノイズを極めて低く抑える新しいスーパーβ入力トランジスタを使用することで、卓越した精度を実現します。追加回路により、±40Vまでの過電圧から入力を保護します。

INA828は非常に高い同相除去比を提供するように最適化されています。G = 1での同相除去比は、全入力同相範囲を通じて90dBを上回ります。このデバイスは、5Vの単一電源から最大±18Vのデュアル電源までの低電圧動作に適しています。INA828は、8ピンSOICパッケージで供給され、-40℃～+125℃の温度範囲で動作が規定されています。

INA828は、単一電源またはデュアル電源の非常に幅広い電圧範囲で動作する、低消費電力の高精度計測アンプです。単一の外付け抵抗によって、1～1000の範囲でゲインを設定できます。このデバイスは、入力オフセット電圧、オフセット電圧ドリフト、入力バイアス電流、入力電圧ノイズ、入力電流ノイズを極めて低く抑える新しいスーパーβ入力トランジスタを使用することで、卓越した精度を実現します。追加回路により、±40Vまでの過電圧から入力を保護します。

INA828は非常に高い同相除去比を提供するように最適化されています。G = 1での同相除去比は、全入力同相範囲を通じて90dBを上回ります。このデバイスは、5Vの単一電源から最大±18Vのデュアル電源までの低電圧動作に適しています。INA828は、8ピンSOICパッケージで供給され、-40℃～+125℃の温度範囲で動作が規定されています。
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