JAJSRD1B August 2014 – February 2024 THS4541
PRODUCTION DATA
THS4541 の入力段アーキテクチャは、すべてのアプリケーションで必要とされる直列入力抵抗を使用しており、入力オーバードライブに対して本質的に堅牢です。大きい入力オーバードライブがあると、出力が最大振幅に制限されます。このため、Rg 抵抗を流れる残りの入力電流は、2 入力間にある内部のバック ツー バック保護ダイオードによって吸収されます。これらのダイオードは通常のアプリケーションではオフになっていますが、大きい入力オーバードライブが発生した場合に、ソース インピーダンスを通って、またはすべての設計に必要とされる直列 Rg 素子を通って流れる電流を吸収するときにのみオンになります。図 6-12 および 図 6-30 に、出力可能な振幅の 2 倍に駆動しようとする入力オーバードライブに対する、非常に優れた出力制限および短い復帰時間を示します。
内部入力ダイオードは、オーバードライブ状況で最大 ±15mA まで安全に吸収できます。さらに多くの電流を吸収する必要がある設計の場合は、図 9-4 の ADC インターフェイスの設計例で使用されている BAV99 デバイスなどの外部保護ダイオードを追加することを検討してください。