JAJSRU9D October   2023  – June 2025 TMCS1133

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 代表的特性
      1. 6.10.1 絶縁特性曲線
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 精度パラメータ
      1. 7.1.1 感度誤差
      2. 7.1.2 オフセット誤差とオフセット誤差ドリフト
      3. 7.1.3 非直線性誤差
      4. 7.1.4 電源除去比
      5. 7.1.5 同相除去比
      6. 7.1.6 外部磁場エラー
    2. 7.2 過渡応答パラメータ
      1. 7.2.1 CMTI、同相電圧過渡耐性
    3. 7.3 安全動作領域
      1. 7.3.1 連続 DC または正弦波 AC 電流
      2. 7.3.2 反復的なパルス電流 SOA
      3. 7.3.3 単一イベント電流機能
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 電流入力
      2. 8.3.2 入力絶縁
      3. 8.3.3 環境磁界除去
      4. 8.3.4 高精度信号チェーン
        1. 8.3.4.1 温度安定性
        2. 8.3.4.2 寿命と環境安定性
      5. 8.3.5 内部リファレンス電圧
      6. 8.3.6 電流検出の測定可能範囲
      7. 8.3.7 過電流検出
        1. 8.3.7.1 ユーザーが構成可能な過電流スレッショルドの設定
          1. 8.3.7.1.1 電源電圧を使用した過電流スレッショルドの設定
          2. 8.3.7.1.2 過電流スレッショルド設定の例
        2. 8.3.7.2 過電流出力応答
      8. 8.3.8 センサ診断
        1. 8.3.8.1 サーマルアラート
        2. 8.3.8.2 センサアラート
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 パワーダウンの動作
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 総誤差計算例
        1. 9.1.1.1 室温誤差の計算
        2. 9.1.1.2 全温度範囲の誤差の計算
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスの命名規則
    2. 10.2 デバイス サポート
      1. 10.2.1 開発サポート
    3. 10.3 ドキュメントのサポート
      1. 10.3.1 関連資料
    4. 10.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 10.5 サポート・リソース
    6. 10.6 商標
    7. 10.7 静電気放電に関する注意事項
    8. 10.8 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DVG|10
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.1 電流入力

TMCS1133 への入力電流は、IN+ ピンと IN- ピンへ、またはそれらからのパッケージ リードフレームの絶縁高電圧側を通過します。パッケージを流れる電流によって、入力電流に比例する磁界が発生します。この磁界は、内蔵のオンチップからガルバニック絶縁された高精度ホールセンサによって測定されます。ホール センサ ダイの静電シールドの結果として、入力電流により生成される磁界のみが測定されるため、入力電圧のスイッチング パススルーは回路に制限されます。この構成により、電流センサ出力の信号歪みなしで、高電圧過渡の電流を直接測定できます。リードフレーム導体は、電気的特性 に定義されているように抵抗が低く、正の温度係数を有します。